[發明專利]半導體存儲器裝置和半導體存儲器裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110361218.X
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN114068684A
• 公開（公告）日: 2022-02-18
• 發明（設計）人: 李南宰
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L27/11568;H01L27/11578;H01L21/28
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置包括：

外圍電路層；

接合結構，所述接合結構設置在所述外圍電路層上；

溝道結構，所述溝道結構設置在所述接合結構上；

第一柵極接觸結構，所述第一柵極接觸結構包括穿透所述接合結構的第一垂直部分和與所述第一垂直部分相交并且從所述第一垂直部分延伸的第一水平部分；以及

第一柵極導電圖案，所述第一柵極導電圖案與所述第一水平部分的側壁接觸并且與所述第一垂直部分間隔開，其中，所述第一柵極導電圖案延伸為圍繞所述溝道結構。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述接合結構包括其中電介質層接合在一起的結構。

3.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

第二柵極導電圖案，所述第二柵極導電圖案圍繞所述溝道結構，并且所述第二柵極導電圖案設置在所述第一柵極導電圖案和所述接合結構之間；以及

第二柵極接觸結構，所述第二柵極接觸結構設置在所述第二柵極導電圖案和所述第一柵極接觸結構之間，

其中，所述第二柵極接觸結構包括穿透所述接合結構和所述第一柵極導電圖案的第二垂直部分，以及從所述第二垂直部分延伸的第二水平部分，并且

其中，所述第二水平部分的側壁與所述第二柵極導電圖案接觸。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一柵極導電圖案比所述第二柵極導電圖案進一步朝向所述第一柵極接觸結構突出。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，該半導體存儲器裝置還包括：

第一層間絕緣層，所述第一層間絕緣層在所述第一柵極導電圖案和所述第二柵極導電圖案之間圍繞所述溝道結構；

第二層間絕緣層，所述第二層間絕緣層與所述第一層間絕緣層交疊，并且所述第一柵極導電圖案插置在所述第二層間絕緣層和所述第一層間絕緣層之間，其中，所述第二層間絕緣層圍繞所述溝道結構；

第一柵極間隔絕緣層，所述第一柵極間隔絕緣層圍繞所述第一垂直部分的側壁，其中，所述第一水平部分穿透所述第一柵極間隔絕緣層；以及

第二柵極間隔絕緣層，所述第二柵極間隔絕緣層圍繞所述第二垂直部分的側壁，其中，所述第二水平部分穿透所述第二柵極間隔絕緣層。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一柵極間隔絕緣層和所述第二柵極間隔絕緣層中的每一個朝向所述第一柵極導電圖案突出，以填充所述第一層間絕緣層和所述第二層間絕緣層之間的間隙。

7.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一柵極間隔絕緣層和所述第二柵極間隔絕緣層中的每一個包括面向所述外圍電路層并且與所述接合結構交疊的底表面。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，所述外圍電路層包括：

基板，所述基板包括雜質區；

互連結構，所述互連結構連接到所述雜質區；以及

導電焊盤，所述導電焊盤連接到所述互連結構并且與所述第一垂直部分交疊。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，所述第一垂直部分延伸為與所述導電焊盤接觸。