[發明專利]垂直半導體裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202110361124.2
• 申請日: 2021-04-02
• 公開（公告）號: CN114078753A
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 盧侑炫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/538;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種制造半導體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

在具有互連件的下結構上方形成源極結構；

形成第一接觸插塞和第一犧牲焊盤，該第一接觸插塞貫穿所述源極結構以聯接至所述互連件，該第一犧牲焊盤貫穿所述源極結構并且與所述第一接觸插塞間隔開；

形成覆蓋所述第一犧牲焊盤、所述第一接觸插塞和所述源極結構的上結構；

形成貫穿所述上結構并與所述第一接觸插塞接觸的第二接觸插塞；

形成第二犧牲焊盤，該第二犧牲焊盤貫穿所述上結構以與所述第一犧牲焊盤接觸并且與所述第二接觸插塞間隔開；以及

用介電支撐件代替所述第一犧牲焊盤和所述第二犧牲焊盤。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一犧牲焊盤的寬度大于所述第二犧牲焊盤的寬度。

3.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一犧牲焊盤和所述第二犧牲焊盤包括相對于所述上結構具有蝕刻選擇性的材料。

4.根據權利要求1所述的方法，其中，所述上結構包括氧化硅和氮化硅的交替層疊物，并且

其中，所述第一犧牲焊盤包括相對于所述氧化硅和所述氮化硅具有蝕刻選擇性的材料。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述第一接觸插塞和所述第一犧牲焊盤包括鎢。

6.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：

形成接觸孔，該接觸孔貫穿所述源極結構以暴露出所述互連件的上表面；以及

形成犧牲開口，該犧牲開口貫穿所述源極結構以暴露出所述下結構，

其中，所述第一接觸插塞填充所述接觸孔，并且所述第一犧牲焊盤填充所述犧牲開口。

7.根據權利要求1所述的方法，該方法還包括以下步驟：

形成暴露出所述互連件的上表面的接觸孔；以及

對所述源極結構進行蝕刻，以形成彼此間隔開的線型開口和孔型開口，

其中，所述第一接觸插塞填充所述接觸孔，并且

其中，所述第一犧牲焊盤包括填充所述線型開口的線型犧牲焊盤和填充所述孔型開口的柱型犧牲焊盤。

8.一種用于制造半導體裝置的方法，該方法包括以下步驟：

在包括互連件的下結構上方形成具有犧牲源極層的源極結構；

形成貫穿所述源極結構以聯接到所述互連件的第一接觸插塞；

形成貫穿所述源極結構并與所述第一接觸插塞間隔開的第一線型犧牲焊盤；

在所述第一線型犧牲焊盤、所述第一接觸插塞和所述源極結構上方形成介電層和犧牲層的交替層疊物；

形成貫穿所述交替層疊物并與所述第一接觸插塞接觸的第二接觸插塞；

形成第二線型犧牲焊盤，該第二線型犧牲焊盤與所述第二接觸插塞間隔開以貫穿所述交替層疊物并與所述第一線型犧牲焊盤接觸；

用線型支撐件代替所述第一線型犧牲焊盤和所述第二線型犧牲焊盤；

形成貫穿所述交替層疊物和所述源極結構的所述犧牲源極層的多個溝道結構，所述多個溝道結構被形成為與所述線型支撐件間隔開；以及

用柵極代替所述交替層疊物的所述犧牲層。

9.根據權利要求8所述的方法，其中，所述交替層疊物包括單元陣列區域和接觸區域，

其中，所述多個溝道結構中的溝道結構貫穿所述單元陣列區域，并且所述線型支撐件貫穿所述接觸區域，并且

其中，所述接觸區域還包括從所述交替層疊物的所述單元陣列區域延伸的階梯狀結構。

10.根據權利要求9所述的方法，該方法還包括以下步驟：

形成貫穿所述階梯狀結構的多個柱型支撐件。

11.根據權利要求8所述的方法，其中，所述線型支撐件包括介電材料。

12.根據權利要求8所述的方法，其中，所述第一線型犧牲焊盤和所述第二線型犧牲焊盤包括相對于所述介電層和所述犧牲層具有蝕刻選擇性的材料。