[發明專利]存儲器電路以及用于提供電平的方法在審
| 申請號: | 202110356778.6 | 申請日: | 2021-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN113782073A | 公開(公告)日: | 2021-12-10 |
| 發明(設計)人: | 李伯浩;李嘉富;史毅駿 | 申請(專利權)人: | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C7/12 | 分類號: | G11C7/12;G11C8/08;G11C5/14 |
| 代理公司: | 北京德恒律治知識產權代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李偉 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 存儲器 電路 以及 用于 提供 電平 方法 | ||
1.一種存儲器電路,包括:
第一晶體管和第二晶體管,相互交叉耦合使得所述第一晶體管的第一源極/漏極和所述第二晶體管的第一源極/漏極均連接至電源,所述第一晶體管的柵極在第一節點處連接至所述第二晶體管的第二源極/漏極,所述第二晶體管的柵極在第二節點處連接至所述第一晶體管的第二源極/漏極,
其中,所述電路配置為:當讀取存儲器單元時向所述存儲器單元提供字線電壓的第一電平,并且當寫入所述存儲器單元時向所述存儲器單元提供所述字線電壓的第二電平,并且
其中,所述電路配置為:通過所述第二晶體管和第三晶體管將配置為第一電平的所述電源直接耦合至所述存儲器單元,從而向所述存儲器單元提供字線電壓的第一電平,并且通過所述第二晶體管和所述第三晶體管將配置為第二電平的所述電源直接耦合至所述存儲器單元,從而向所述存儲器單元提供所述字線電壓的第二電平。
2.根據權利要求1所述的存儲器電路,其中,所述電源的所述第二電平基本上高于所述電源的所述第一電平,所述字線電壓的所述第二電平基本上高于所述字線電壓的所述第一電平。
3.根據權利要求1所述的存儲器電路,其中,當向所述存儲器單元提供所述字線電壓的所述第一電平時,通過配置為第一電平的第一控制信號導通所述第三晶體管,并且當向所述存儲器單元提供所述字線電壓的所述第二電平時,通過配置為第二電平的所述第一控制信號導通所述第三晶體管。
4.根據權利要求3所述的存儲器電路,其中,當向所述存儲器單元提供所述字線電壓的所述第一電平時,所述第二節點處的電壓通過第一放電路徑降低至所述第一控制信號的所述第一電平,并且所述第一節點處的電壓基本上等于所述電源的所述第一電平。
5.根據權利要求3所述的存儲器電路,其中,當向所述存儲器單元提供所述字線電壓的所述第二電平時,所述第二節點處的電壓通過第二放電路徑降低至所述第一控制信號的所述第二電平,并且所述第一節點處的電壓基本上等于所述電源的所述第二電平。
6.根據權利要求5所述的存儲器電路,其中,所述第二放電路徑包括第四晶體管,所述第四晶體管通過配置為第二電平的第一控制信號導通,并且其中,所述第二節點處的所述電壓通過所述第四晶體管鉗位在所述第一控制信號的所述第二電平。
7.根據權利要求3所述的存儲器電路,還包括:
第五晶體管;
第六晶體管;和
第七晶體管;
其中,所述第五晶體管的第一源極/漏極連接至所述電源,并且第二源極/漏極連接至所述第六晶體管的第一源極/漏極,并且基于讀取或寫入所述存儲器單元,選擇性地導通所述第五晶體管,
其中,所述第六晶體管的第二源極/漏極在第三節點處連接至所述第七晶體管的第一源極/漏極電源,并且由所述電源門控所述第六晶體管,
其中,所述第七晶體管具有接地的第二源極/漏極,并且由參考電壓門控所述第六晶體管,并且
其中,在所述第三節點處的電壓決定所述第一控制信號的所述第一電平或所述第二電平。
8.根據權利要求7所述的存儲器電路,其中,所述第一控制信號的所述第一電平等于所述電源的所述第一電平減所述參考電壓,并且所述第一控制信號的所述第二電平等于所述電源的所述第二電平減所述參考電壓。
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