[發明專利]一種多爐管的原子層沉積設備

在審

• 申請號: 202110356604.X
• 申請日: 2021-04-01
• 公開（公告）號: CN112921304A
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發明（設計）人: 陶俊;張三洋;王雪楠;劉敏星;高根震;姚麗英
• 申請（專利權）人: 無錫琨圣智能裝備股份有限公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/52;C23C16/54
• 代理公司: 無錫蘇元專利代理事務所(普通合伙) 32471
• 代理人: 吳忠義

本發明屬于真空設備領域，提供了一種多爐管的原子層沉積設備，包括至少兩個爐管，每個爐管的爐尾通過連接管共同連接有一個總管路，總管路的另一端連接有一個真空抽吸裝置。本發明提供的多爐管的原子層沉積設備，各爐管共用一套真空系統，保證薄膜沉積均勻性的同時提高了設備的總產能，降低了相同產能配置所需的設備成本。

技術領域

本發明涉及一種原子層沉積設備，尤其涉及一種多爐管的原子層沉積設備。

背景技術

晶硅電池以及一些電子器件的制備過程中需要在硅片等襯底上沉積各種薄膜材料，以晶硅電池為例，為了增加晶硅表面的鈍化以減少光生載流子的復合，需要在晶硅表面沉積一層氧化鋁，現有方式多是通過PECVD(等離子增強化學沉積設備)或者ALD(原子層沉積設備)制備，即硅片襯底分別在石墨舟或鋁舟載具上放置在高溫爐管內，通過跟對應的氣源進行化學反應將氧化鋁沉積在硅片表面。

目前的真空沉積設備普遍存在的一個問題是，為了提升單爐管產能需要將爐管做的非常長(舟可以更長使放置的硅片更多)，以原子層沉積設備為例，沉積的過程為爐口一側通入氣源，爐尾通過真空泵進行抽濾，保證腔體處于穩定的工藝壓力下，同時將氣源在真空壓力作用下從頭分散至尾，但是由于沉積過程硅片會對氣源產生消耗，氣源從爐門通入經過爐頭爐中硅片的反應消耗后，爐尾的氣源量就會比較稀少，因此爐尾的薄膜沉積均勻性就會比較差。想要兼顧薄膜沉積均勻性和高產能目前沒有較好的方法，只能通過增加整套設備的數量，這樣設備成本就比較高。

發明內容

本發明的目的是克服現有的缺陷，提供一種多爐管的原子層沉積設備，解決目前為了兼顧薄膜沉積均勻性和高產能而增加設備數量導致設備成本高的問題。

為了解決上述技術問題，本發明提供了如下的技術方案：

一種多爐管的原子層沉積設備，包括至少兩個爐管，每個所述爐管的爐尾通過連接管共同連接有一個總管路，所述總管路的另一端連接有一個真空抽吸裝置。

進一步地，每個所述爐管為雙層結構，由內到外分別為工藝內腔和外殼。

進一步地，所述真空抽吸裝置為真空泵。

進一步地，所述總管路上設置有過濾器。

進一步地，每個所述爐管的長度相同，所述總管路上設置有總角閥。

進一步地，每個所述連接管上設置有一個獨立角閥。

進一步地，所述總管路上涉及連接的位置均采用抱箍進行連接。

本發明一種多爐管的原子層沉積設備，各爐管共用一套真空系統，保證薄膜沉積均勻性的同時提高了設備的總產能，降低了相同產能配置所需的設備成本。

附圖說明

附圖用來提供對本發明的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本發明的實施例一起用于解釋本發明，并不構成對本發明的限制。在附圖中：

圖1是本發明實施例1的結構示意圖。

具體實施方式

以下結合附圖對本發明的優選實施例進行說明，應當理解，此處所描述的優選實施例僅用于說明和解釋本發明，并不用于限定本發明。

實施例1

如圖1所示，一種多爐管的原子層沉積設備，包括兩個爐管1，每個爐管1的爐尾通過連接管共同連接有一個總管路2，總管路2的另一端連接有一個真空泵3。

工作原理：

每個爐管的長度比常規爐管的長度要短，兩個爐管的總長度比常規爐管的長度要長，這種組合可以使工藝腔體內部的硅片總量增加，而工藝氣體的行程又有所減少，使得常規真空泵能夠滿足工作需求，從而既保證薄膜沉積的均勻性，又增加了設備產能，還降低了設備成本(真空及抽濾的成本占比較大)。