[發明專利]一種差分總線驅動器在審
| 申請號： | 202110347046.0 | 申請日： | 2021-03-31 |
| 公開（公告）號： | CN113206654A | 公開（公告）日： | 2021-08-03 |
| 發明（設計）人： | 萬明亮;惲廷華 | 申請（專利權）人： | 上海川土微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/0233 | 分類號： | H03K3/0233;H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京清大紫荊知識產權代理有限公司 11718 | 代理人： | 李思瓊;馮振華 |
| 地址： | 201306 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 種差 總線 驅動器 | ||
1.一種差分總線驅動器，其特征在于，包括：
依次連接在高側總線端的高側第一級驅動電路和高側第二級驅動電路；
依次連接在低側總線端的低側第一級驅動電路和低側第二級驅動電路；
所述高側第一級驅動電路和低側第一級驅動電路被配置為隔離總線端的負高壓，所述高側第二級驅動電路和低側第二級驅動電路被配置為隔離總線端的正高壓。
2.根據權利要求1所述的差分總線驅動器，其特征在于，還包括，連接在所述高側第二級驅動電路輸出端的高側第三級驅動電路，以及連接在所述低側第二級驅動電路輸出端的低側第三級驅動電路，所述高側第三級驅動電路和低側第三級驅動電路被配置為控制差分總線的上升沿和下降沿擺率。
3.根據權利要求1所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述高側第一級驅動電路和低側第一級驅動電路采用高壓PMOS管隔離總線端的負高壓。
4.根據權利要求3所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述高側第一級驅動電路和低側第一級驅動電路還包括齊納二極管，所述齊納二極管用于維持所述高壓PMOS管的柵源極壓差在低壓范圍內。
5.根據權利要求1所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述高側第二級驅動電路和低側第二級驅動電路采用高壓NMOS管隔離總線端的正高壓。
6.根據權利要求2所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述低側第三級驅動電路包括第一低壓NMOS管、第二低壓NMOS管和第一電容；所述第一低壓NMOS管的漏極連接所述低側第二級驅動電路的輸出，所述第一電容連接所述第一低壓NMOS管和第二低壓NMOS管的柵極，以及第一低壓NMOS管的漏極，還包括連接在所述第二低壓NMOS管漏極的第一電流源和第一電阻，用于對所述第一低壓NMOS管和第二低壓NMOS管進行充放電。
7.根據權利要求6所述的差分總線驅動器，其特征在于，還包括，連接在所述第二低壓NMOS管與第一電流源和第一電阻之間的第一開關和第二開關。
8.根據權利要求6所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述高側第三級驅動電路包括第一低壓PMOS管、第二低壓PMOS管和第二電容；所述第一低壓PMOS管的漏極連接所述高側第二級驅動電路的輸出，所述第二電容連接所述第一低壓PMOS管和第二低壓PMOS管的柵極，以及第一低壓PMOS管的漏極，還包括連接在所述第二低壓PMOS管漏極的第二電流源和第二電阻，用于對所述第一低壓PMOS管和第二低壓PMOS管進行充放電。
9.根據權利要求8所述的差分總線驅動器，其特征在于，還包括，連接在所述第二低壓PMOS管與第二電流源和第二電阻之間的第三開關和第四開關。
10.根據權利要求8或9所述的差分總線驅動器，其特征在于，所述第一低壓NMOS管和第二低壓NMOS管，以及所述第一低壓PMOS管和第二低壓PMOS管均以電流鏡形式驅動總線。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海川土微電子有限公司，未經上海川土微電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202110347046.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：行為密碼智慧門鎖的識別方法、設備以及介質
- 下一篇：一種溪流支撐安裝發電裝置
