[發(fā)明專利]基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置及使用方法

有效

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• 申請日: 2021-03-31
• 公開（公告）號: CN112735992B
• 公開（公告）日: 2021-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 錢誠;李剛;童建
• 申請（專利權）人: 亞電科技南京有限公司;江蘇亞電科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/687;B08B3/02;B08B13/00
• 代理公司: 北京商專潤文專利代理事務所(普通合伙) 11317
• 代理人: 陳平

本發(fā)明涉及晶圓清洗技術領域，具體地說，涉及基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置及使用方法。其包括清洗機構，清洗機構內至少包括支撐臂，支撐臂側壁靠近頂部的位置固定連接有安裝座，安裝座上下兩端表面上均開設有固定槽，安裝座側壁表面開設有與固定槽連通的限位螺孔，兩個固定槽內均固定安裝有清洗臂，清洗臂一端固定連接有旋轉基座，旋轉基座上表面開設有高度調節(jié)孔，旋轉基座通過固定桿在安裝座內旋轉，實現(xiàn)對清洗臂的旋轉調節(jié)，方便對晶圓進行單面獨立清洗，實現(xiàn)了在雙面清洗的需求的前提下，適用不同的晶圓夾具，實現(xiàn)對晶圓單面或雙面進行選擇性清洗，而不需要根據(jù)晶圓夾具更換清洗機構。

技術領域

本發(fā)明涉及晶圓清洗技術領域，具體地說，涉及基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置及使用方法。

背景技術

晶圓在刻蝕完成后需要通過去離子水沖洗，傳統(tǒng)的做法是將晶圓放置在槽體中，通過上方的噴頭來沖洗，在對晶圓進行離子水沖洗后，需要對晶圓表面噴射惰性氣體進行干燥，對污染物殘留及水漬進行進一步的清理，防止水痕的產(chǎn)生，并通過晶圓旋轉產(chǎn)生的離心力，輔助晶圓的進一步干燥。

而現(xiàn)有的晶圓清洗機構，只能對晶圓進行單面獨立清洗，而晶圓在刻蝕完成后，正反兩面均會出現(xiàn)污染物殘留，因此需要一種能對晶圓進行雙面沖洗的清洗機構，來滿足對晶圓雙面清洗的需求，但是雙面的清洗機構對晶圓夾具的需求有一定的局限性，不能適用不同的晶圓夾具，導致在對晶圓進行單面或雙面選擇性清洗時，需要選用不同的清洗機構，導致企業(yè)成本的增加，因此本發(fā)明目的在于基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置及使用方法，使清洗裝置在實現(xiàn)對晶圓雙面清洗的需求的前提下，可以適用不同的晶圓夾具，實現(xiàn)對晶圓單面或雙面進行選擇性清洗，而不需要根據(jù)晶圓夾具更換清洗機構。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置及使用方法，以解決對晶圓進行雙面清洗需求的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明目的在于，提供了基于惰性氣體的防水痕半導體晶圓清洗裝置，包括工作臺和安裝在工作臺上的清洗機構和晶圓夾持件；

所述清洗機構內至少包括支撐臂，所述支撐臂側壁靠近頂部的位置固定連接有安裝座，所述安裝座上下兩端表面上均開設有固定槽，所述安裝座側壁表面開設有與所述固定槽連通的限位螺孔，所述限位螺孔內螺紋連接有鎖緊螺母，通過所述鎖緊螺母頂緊所述嵌套桿實現(xiàn)對所述固定桿的鎖緊，兩個所述固定槽內均固定安裝有清洗臂，所述清洗臂上表面開設有與下表面貫穿的開槽，所述開槽內壁兩側開設有限位滑槽，所述開槽內通過限位滑槽卡接安裝有沖洗件，所述清洗臂一端側壁表面固定安裝有清洗件，所述清洗臂一端固定連接有旋轉基座，所述旋轉基座上表面開設有高度調節(jié)孔，所述高度調節(jié)孔內卡接安裝有固定桿；

本實施例的所述清洗機構在具體使用時，通過導水軟管為水槽供給清洗液，并由沖洗噴嘴對旋轉的晶圓表面進行噴灑，實現(xiàn)對晶圓表面污漬的沖洗，沖洗完畢，停止供水，通過導氣管輸送惰性氣體，并由清洗噴嘴對旋轉的晶圓表面進行清洗，將噴灑的液體沖刷至晶圓邊緣，并通過旋轉產(chǎn)生的離心力，將水漬甩離晶圓表面，防止水痕的產(chǎn)生。

所述晶圓夾持件內至少包括固定環(huán)，所述固定環(huán)側壁兩側對稱設置有承重臂，所述固定環(huán)側壁一端固定連接有齒輪安裝座，所述齒輪安裝座下表面固定安裝有電機，所述固定環(huán)內側壁表面開設有旋轉槽，所述旋轉槽內壁上表面開設有嵌套槽，所述旋轉槽內嵌套安裝有夾持環(huán)，所述夾持環(huán)內側壁兩端對稱安裝有用于夾持晶圓的夾持弧板；

本實施例的所述晶圓夾持件在具體使用時，將晶圓放置于夾持環(huán)中心處，同時旋轉兩側的螺桿，使上鍥塊向下移動的同時推動下鍥塊向夾持弧板一側移動，使兩側的夾持弧板同時對晶圓進行夾緊，實現(xiàn)對晶圓的固定夾持。