[發明專利]一種切片電池的制備方法及激光設備有效
| 申請號： | 202110341831.5 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN113257951B | 公開（公告）日： | 2022-09-20 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 蘇州聯諾太陽能科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18;B23K26/38;B23K26/70;B23K26/00 |
| 代理公司： | 北京金智普華知識產權代理有限公司 11401 | 代理人： | 藍曉玉 |
| 地址： | 215200 江蘇省蘇州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 切片 電池 制備 方法 激光設備 | ||
1.一種切片電池的制備方法，其特征在于，包括劃片處理步驟和光注入處理步驟，所述光注入處理步驟和所述劃片處理步驟在同一臺激光設備的不同腔室或相同腔室完成。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述劃片處理步驟和所述光注入處理步驟在同一臺激光設備的不同腔室完成時，所述不同腔室分別具有第一激光光源和第二激光光源，所述第二激光光源為與所述第一激光光源不同的激光光源；
所述劃片處理步驟中利用所述第一激光光源進行劃片處理；
所述光注入步驟中利用所述第二激光光源進行光注入處理。
3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述第一激光光源選擇為紅外激光光源、綠光激光光源或紫外光激光光源；
所述第二激光光源選擇為紅外激光光源。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述劃片處理步驟和所述光注入處理步驟在同一臺激光設備的不同腔室完成時，所述不同腔室分別具有第三激光光源和LED光源；
所述劃片處理步驟中利用所述第三激光光源進行劃片處理；
所述光注入步驟中利用所述LED光源進行光注入處理。
5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述劃片處理步驟和所述光注入處理步驟在同一臺激光設備的相同腔室完成時，所述腔室內具有第四激光光源和第五激光光源，所述第四激光光源為與所述第五激光光源不同的激光光源；
所述劃片處理步驟中利用所述第四激光光源進行劃片處理；
所述光注入步驟中利用所述第五激光光源進行光注入處理。
6.根據權利要求5所述的制備方法，其特征在于，所述第四激光光源選擇為紅外激光光源、綠光激光光源或紫外光激光光源；
所述第五激光光源選擇為紅外激光光源。
7.根據權利要求1-6中任一項所述的制備方法，其特征在于，所述劃片處理步驟在所述光注入處理步驟之前。
8.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述劃片處理步驟中，劃片深度為范圍在大于或等于30％中的任一值；
所述劃片處理步驟中，切片的數量大于或等于2。
9.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述光注入處理步驟中，光注入強度為范圍在10-200suns中的任一值，光注入時間為范圍在10-900s中的任一值；
所述光注入處理步驟中，光注入強度范圍為范圍在50-120suns中的任一值；
所述光注入處理步驟中，所述光注入時間為范圍在10-60s中的任一值；
所述光注入處理步驟中，對經過劃片處理的電池片進行表面溫度控制，以控制所述電池片的表面溫度為范圍在190-250℃中的任一值。
10.一種激光設備，其特征在于，包括腔室，用于為如權利要求1-9中任一項所述的制備方法中的劃片處理步驟和光注入處理步驟提供處理空間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
