[發明專利]石墨舟片及石墨舟

在審

• 申請號: 202110340069.9
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN112962086A
• 公開（公告）日: 2021-06-15
• 發明（設計）人: 廖寶臣;張密超;左敏;楊柳
• 申請（專利權）人: 江蘇微導納米科技股份有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C23C16/50;C23C16/455;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州佳博知識產權代理事務所(普通合伙) 32342
• 代理人: 羅宏偉

一種石墨舟片，設有硅片覆蓋區，所述硅片覆蓋區設有多個長條形通孔，所述通孔的寬度≤16mm，由此，可使硅片與石墨舟片貼合緊密，同時產生更均勻的電場，可有效解決管式PECVD/PEALD在N型硅片上鍍膜均勻性問題且兼顧解決背面繞鍍問題，解決了當前管式設備針對N型硅片鍍膜，如氧化鋁以及隧穿氧化層鈍化接觸TOPCON電池背面鍍氧化硅的質量問題。尤其是目前光伏行業往大硅片的方向發展，更突顯了鍍膜均勻性和質量的重要性，為高效大硅片電池的發展鋪平道路。

技術領域

本發明涉及一種用于雙面鍍膜的石墨舟片及具有該石墨舟片的石墨舟，屬于太陽能電池鍍膜技術領域。

背景技術

隨著太陽能發電的普及，相關的光伏產品需求量越來越大，因此對光伏設備的要求越來越高，不僅要增加產能，而且需要更好的控制質量，管式PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等離子體增強化學氣相沉積法)和管式PEALD(PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition)設備是太陽能電池片生產中重要的設備，主要是完成硅片表面的鍍膜。

在新型N型硅片上鍍膜需要硅片上產生均勻的電場，傳統的鏤空石墨舟片因鏤空面積較大，電流存在差異導致鏤空位置鍍膜偏?。皇褂脗鹘y的實心石墨舟，重量增加60％以上石墨舟載具存在載重上限，對載具的考驗較大，且實心石墨舟片在加熱狀態下整體的變形比較嚴重，對電池片整體鍍膜影響較大且存在背面繞鍍問題。同時，目前光伏行業往大硅片的方向發展，如何解決大硅片上鍍膜均勻性和質量的問題變的尤為重要和迫在眉睫。

因此，亟需一種新的石墨舟片結構以解決上述技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能夠有效解決管式PECVD/PEALD在N型硅片上鍍膜均勻性問題且兼顧解決背面繞鍍問題的石墨舟片及具有該石墨舟片的石墨舟。

為實現上述目的，本發明采用如下技術方案：一種石墨舟片，設有硅片覆蓋區，所述硅片覆蓋區設有多個長條形通孔，所述通孔的寬度≤16mm。

作為本發明進一步改進的技術方案，多個所述通孔相互平行。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述石墨舟片的正反面還設有從所述通孔末端向外側延伸的導氣凹槽。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述石墨舟片的正反面還設有方形凹槽，所述通孔位于所述方形凹槽所在區域。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述石墨舟片還設有自所述方形凹槽向外側延伸的導氣凹槽。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述方形凹槽的深度為0.3-1.0mm。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述導氣凹槽和所述方形凹槽的深度相同。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述通孔方向與所述石墨舟片底邊夾角為3°。

作為本發明進一步改進的技術方案，所述通孔和卡點的距離≥15mm。

本發明還采用如下技術方案：一種石墨舟，其包括內片和外片，所述內片采用權利要求1-10中其中一項所述的石墨舟片，所述石墨舟片的邊長≤230mm。

相較于現有技術，本發明石墨舟片及具有該石墨舟片的石墨舟的硅片覆蓋區設有多個通孔，所述通孔的寬度≤16mm，通孔1用于防止出現電場不均勻現象，由此設計，可使硅片與石墨舟片貼合緊密，同時產生更均勻的電場，可有效解決管式PECVD/PEALD在N型硅片上鍍膜均勻性問題且兼顧解決背面繞鍍問題，解決了當前管式設備針對N型硅片鍍膜，如氧化鋁以及隧穿氧化層鈍化接觸TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact)電池背面鍍氧化硅的質量問題。尤其是目前光伏行業往大硅片的方向發展，更突顯了鍍膜均勻性和質量的重要性，為高效大硅片電池的發展鋪平道路。

附圖說明