[發明專利]基于Al-N共摻的SiC外延結構及其制備方法有效
| 申請號： | 202110339341.1 | 申請日： | 2021-03-30 |
| 公開（公告）號： | CN113078205B | 公開（公告）日： | 2023-05-02 |
| 發明（設計）人： | 鈕應喜;左萬勝;王敬;單衛平;朱明蘭;張曉洪;袁松;史田超;胡新星;仇成功;史文華 | 申請（專利權）人： | 安徽長飛先進半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/16;H01L21/04;H01L21/223 |
| 代理公司： | 蕪湖安匯知識產權代理有限公司 34107 | 代理人： | 尹婷婷 |
| 地址： | 241000 安徽省蕪湖市高*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 al sic 外延 結構 及其 制備 方法 | ||
1.基于Al-N共摻的SiC外延結構，其特征在于，所述基于Al-N共摻的SiC外延結構由下至上依次包括：襯底、Al-N共摻層一、Al-N共摻層二、Al-N共摻層三、N型摻雜層一、Al-N共摻層四、Al-N共摻層五、N型摻雜層二、漂移層；
所述Al-N共摻層一、Al-N共摻層二中的N的摻雜濃度相同；所述Al-N共摻層一中Al的摻雜濃度低于所述Al-N共摻層二中Al的摻雜濃度；
所述Al-N共摻層二、Al-N共摻層三中的Al的摻雜濃度相同；所述Al-N共摻層二中N的摻雜濃度高于所述Al-N共摻層三中N的摻雜濃度；
所述Al-N共摻層三、Al-N共摻層四中的N、Al的摻雜濃度相同；
所述Al-N共摻層四、Al-N共摻層五中的Al的摻雜濃度相同；所述Al-N共摻層四中N的摻雜濃度低于所述Al-N共摻層五中N的摻雜濃度；
所述N型摻雜層一中的N的摻雜濃度低于所述N型摻雜層二中的N的摻雜濃度。
2.根據權利要求1所述的Al-N共摻的SiC外延結構，其特征在于，所述Al-N共摻層一、Al-N共摻層二、Al-N共摻層三、Al-N共摻層四、Al-N共摻層五的厚度均為10～20nm。
3.根據權利要求1或2所述的Al-N共摻的SiC外延結構，其特征在于，所述N型摻雜層一、N型摻雜層二的厚度均為0.1～0.2μm。
4.根據權利要求1或2所述的Al-N共摻的SiC外延結構，其特征在于，所述漂移層的厚度為10～200μm。
5.一種如權利要求1-4任意一項所述的Al-N共摻的SiC外延結構的制備方法，其特征在于，在1580～1680℃溫度和50～500mbar壓力下流通原料氣體和摻雜氣體，依次在襯底上生長所述Al-N共摻層一、所述Al-N共摻層二、所述Al-N共摻層三、所述N型摻雜層一、所述Al-N共摻層四、所述Al-N共摻層五、所述N型摻雜層二、所述漂移層。
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