[發明專利]相對于金屬表面在電介質表面上選擇性沉積氧化硅

在審

• 申請號: 202110339042.8
• 申請日: 2021-03-30
• 公開（公告）號: CN113471059A
• 公開（公告）日: 2021-10-01
• 發明（設計）人: A.伊利貝里;G.A.弗尼;鄧少任;D.恰佩;E.托伊斯;M.托米寧;M.吉文斯
• 申請（專利權）人: ASMIP私人控股有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;C23C16/04;C23C16/40
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 焦玉恒

1.一種相對于襯底的金屬表面在所述襯底的電介質表面上選擇性沉積氧化硅的方法，所述方法依次包括：

相對于所述金屬表面選擇性地鈍化所述電介質表面；

在所述金屬表面上選擇性地形成聚合物鈍化層；

使所述電介質表面與金屬催化劑接觸；以及

使所述電介質表面與包含硅烷醇的硅反應物接觸。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬表面包含Al、Cu、Co、Ni、W、Nb、Fe和Mo中的一種或多種。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述電介質表面包含氧化硅。

4.根據權利要求1所述的方法，其中選擇性地鈍化所述電介質表面包括使所述電介質表面與甲硅烷基化劑接觸。

5.根據權利要求4所述的方法，其中所述甲硅烷基化劑包括烷基氨基硅烷。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述烷基氨基硅烷具有式(R^I)₃Si(NR^IIR^III)，其中R^I是直鏈或支鏈C₁-C₅烷基或直鏈或支鏈C₁-C₄烷基，R^II是直鏈或支鏈C₁-C₅烷基，直鏈或支鏈C₁-C₄烷基或氫，并且R^III是直鏈或支鏈C₁-C₅烷基或直鏈或支鏈C₁-C₄烷基。

7.根據權利要求4所述的方法，其中所述甲硅烷基化劑包括烯丙基三甲基硅烷(TMS-A)、三甲基氯硅烷(TMS-Cl)、N-(三甲基甲硅烷基)咪唑(TMS-Im)、十八烷基三氯硅烷(ODTCS)、六甲基二硅氮烷(HMDS)或N-(三甲基甲硅烷基)二甲胺(TMSDMA)。

8.根據權利要求1所述的方法，還包括在所述金屬表面上選擇性地形成所述聚合物鈍化層之后并且在使所述電介質表面與所述金屬催化劑接觸之前，用等離子體處理所述電介質表面。

9.根據權利要求8所述的方法，其中所述等離子體包括H₂等離子體。

10.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬催化劑包括三甲基鋁(TMA)、二甲基氯化鋁、三氯化鋁(AlCl₃)、二甲基異丙醇鋁(DMAI)、三(叔丁基)鋁(TTBA)、三(異丙醇)鋁(TIPA)或三乙基鋁(TEA)。

11.根據權利要求1所述的方法，其中所述金屬催化劑是包含Zn、Mg、Mn、La、Hf、Al、Zr、Ti、Sn或Ga的金屬化合物。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述金屬催化劑是金屬鹵化物、有機金屬化合物或金屬有機化合物。

13.根據權利要求1所述的方法，其中所述硅反應物包括三(叔丁氧基)硅烷醇(TBS)、三(異丙氧基)硅烷醇(TIS)或三(叔戊氧基)硅烷醇(TPS)。

14.根據權利要求1所述的方法，其中形成于所述金屬表面上的所述聚合物鈍化層包括自組裝單層(SAM)。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述SAM通過將所述襯底暴露于硫醇聚合物而形成。

16.根據權利要求1所述的方法，其中形成于所述金屬表面上的所述聚合物鈍化層包括聚酰亞胺層。