[發(fā)明專利]電極頭、電極頭加工方法及氣膜孔加工方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110337059.X | 申請(qǐng)日: | 2021-03-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113042839B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王志強(qiáng);劉福聰;郭培培 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天津職業(yè)技術(shù)師范大學(xué)(中國職業(yè)培訓(xùn)指導(dǎo)教師進(jìn)修中心) |
| 主分類號(hào): | B23H9/14 | 分類號(hào): | B23H9/14;B23H1/00 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 郭金鑫 |
| 地址: | 300222 天*** | 國省代碼: | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電極 加工 方法 氣膜孔 | ||
1.一種電極頭,其特征在于,包括:基體(100)和覆蓋于所述基體(100)外表面的鍍層(200);
所述鍍層(200)相對(duì)于所述基體(100)的熱傳導(dǎo)相對(duì)系數(shù)小于1;
所述熱傳導(dǎo)相對(duì)系數(shù)采用以下公式計(jì)算:其中,μ為所述鍍層(200)的熱傳導(dǎo)相對(duì)系數(shù),λe1為所述鍍層(200)的熱傳導(dǎo)系數(shù),Tre1為所述鍍層(200)的熔點(diǎn),λe0為所述基體(100)的熱傳導(dǎo)系數(shù),Tre0為所述基體(100)的熔點(diǎn);
所述鍍層(200)相對(duì)于所述基體(100)的汽化相對(duì)系數(shù)小于1;
所述汽化相對(duì)系數(shù)采用以下公式計(jì)算:其中,ε為所述鍍層(200)的汽化相對(duì)系數(shù),Tfe1為所述鍍層(200)的沸點(diǎn),Ce1為所述鍍層(200)的比熱容,Tfe0為所述基體(100)的沸點(diǎn),Ce0為所述基體(100)的比熱容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極頭,其特征在于,所述鍍層(200)采用鋅、鈦、鉛或錫材質(zhì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極頭,其特征在于,所述基體(100)采用黃銅或紫銅材質(zhì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的電極頭,其特征在于,所述基體(100)設(shè)有導(dǎo)流孔(101),所述導(dǎo)流孔(101)與所述基體(100)同軸。
5.一種電極頭加工方法,其特征在于,所述電極頭加工方法包括以下步驟:
將鍍層(200)涂覆于基體(100)的外表面;
所述鍍層(200)相對(duì)于所述基體(100)的熱傳導(dǎo)相對(duì)系數(shù)小于1,且所述鍍層(200)相對(duì)于所述基體(100)的汽化相對(duì)系數(shù)小于1。
6.一種氣膜孔加工方法,其特征在于,采用權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的電極頭,且包括以下步驟:
將所述電極頭和工件(300)中的其一與電源的正極連接,將所述電極頭和所述工件(300)中的另一與所述電源的負(fù)極連接;
采用所述電極頭與所述工件(300)之間的電火花在所述工件(300)上加工氣膜孔。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣膜孔加工方法,其特征在于,所述電極頭與所述工件(300)之間的電壓為60V~200V。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣膜孔加工方法,其特征在于,所述電極頭的通電電流為10A~40A。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣膜孔加工方法,其特征在于,還包括:將工作液通入基體(100)的導(dǎo)流孔(101),并使自所述導(dǎo)流孔(101)排出的工作液沖擊進(jìn)入所述工件(300)的盲孔(301)中。
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