[發明專利]陶瓷真空鍍膜工藝方法

有效

• 申請號: 202110336148.2
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113087548B
• 公開（公告）日: 2022-11-04
• 發明（設計）人: 王君;王思航;閆超穎;李昌華
• 申請（專利權）人: 沈陽愛科斯科技有限公司;遼寧卓越真空設備有限公司;王君
• 主分類號: C04B41/90
• 分類號: C04B41/90;C04B41/91;C23C14/02;C23C14/18;C23C14/32
• 代理公司: 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463
• 代理人: 李翠

1.一種陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1：將陶瓷基材放入鍍膜機的真空室內，并對所述真空室內抽真空；

步驟S2：向所述真空室內充入惰性氣體；

步驟S3：開啟偏壓電源，調節所述偏壓電源的參數；開啟掛有所述陶瓷基材的轉架；

步驟S4：對所述陶瓷基材鍍膜，包括如下步驟：

步驟S4.1：對所述陶瓷基材加熱放氣；對所述真空室加熱，以使所述真空室內的溫度為260-300℃之間；

對所述真空室抽真空，以使所述真空室內的氣壓達到3×10^-3-6×10^-3Pa ；

步驟S4.2：對所述真空室內充入惰性氣體，以使所述真空室內的氣壓在0.2-0.3Pa 之間；開啟第一預設金屬靶，以對所述陶瓷基材刻蝕；

步驟S4.3：關閉所述第一預設金屬靶；開啟第二預設金屬靶，以對所述陶瓷基材打底；

步驟S4.4：關閉所述第一預設金屬靶和所述第二預設金屬靶；開啟第三預設金屬靶，以對所述陶瓷基材鍍膜；

步驟S5：降低所述真空室內的溫度，產品出爐。

2.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，步驟S4.2還包括：

調節所述偏壓電源的電壓為400-600V之間，所述偏壓電源的占空比為50％-70％之間；

所述第一預設金屬靶的靶電流設置在60-90A之間。

3.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，步驟S4.3還包括：

調節所述偏壓電源的電壓為50-100V之間，所述偏壓電源的占空比為40％-80％之間；

所述第二預設金屬靶的靶電流設置在60-90A之間，且通入所述第二預設金屬靶的靶電流時間持續1-3分鐘。

4.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，在步驟S4.4中，在開啟第三預設金屬靶之前，還包括：

對所述真空室內充入惰性氣體，以使所述真空室內的氣壓達到0.5-3Pa 。

5.根據權利要求4所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，步驟S4.4還包括：

調節所述偏壓電源的電壓為50-150V之間，所述偏壓電源的占空比為40％-80％之間；

所述第三預設金屬靶的靶電流設置在70-120A之間，且通入所述第三預設金屬靶的靶電流時間持續100-200分鐘。

6.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，步驟S1包括：

對所述真空室第一次抽真空，以使所述真空室內的氣壓達到500Pa ；

對所述真空室第二次抽真空，以使所述真空室內的氣壓達到5Pa ；

對所述真空室第三次抽真空，以使所述真空室內的氣壓達到4×10^-3Pa 。

7.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，在步驟S2中，向所述真空室內充入惰性氣體以使所述真空室內的氣壓為0.2-0.3Pa 之間。

8.根據權利要求1所述的陶瓷真空鍍膜工藝方法，其特征在于，在步驟S3中，所述偏壓電源的參數包括：所述偏壓電源的電壓為40-100V之間，所述偏壓電源的占空比30％-70％之間；

所述轉架的轉動頻率為10-20Hz。