[發明專利]一種存儲系統性能調節方法及存儲系統

在審

• 申請號: 202110335356.0
• 申請日: 2021-03-29
• 公開（公告）號: CN113129994A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 鄧玉良;唐越;殷中云;方曉偉;蘇通;楊彬;陳佩純
• 申請（專利權）人: 深圳市國微電子有限公司
• 主分類號: G11C29/42
• 分類號: G11C29/42;G06F3/06
• 代理公司: 深圳市恒申知識產權事務所(普通合伙) 44312
• 代理人: 鮑竹

1.一種存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述存儲系統性能調節方法包括：

獲取NAND FLASH存儲器閾值電壓與總劑量的對應關系查找表；

定時監測所述NAND FLASH存儲器的當前閾值電壓；

存儲器控制器根據所述當前閾值電壓調整所述NAND FLASH存儲器的工作模式及系統工作模式。

2.根據權利要求1所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述獲取NAND FLASH存儲器閾值電壓與總劑量的對應關系查找表包括：

在所述NAND FLASH存儲器中寫入數據，進行總劑量輻照實驗；

逐步增加劑量，獲取當前所述總劑量的NAND FLASH存儲器的閾值電壓；

整理所述NAND FLASH存儲器閾值電壓與所述總劑量的對應關系得到所述對應關系查找表。

3.根據權利要求2所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述總劑量輻照實驗包括對所述NAND FLASH存儲器進行鈷60γ射線輻照。

4.根據權利要求1所述的存儲系統性能調整方法，其特征在于，所述定時監測所述NANDFLASH存儲器的當前閾值電壓包括：

定時通過read retry的方式讀取NAND FLASH存儲數據，得到當前的閾值電壓。

5.根據權利要求1所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述存儲器控制器根據所述當前閾值電壓調整所述NAND FLASH存儲器的工作模式及系統工作模式包括：

根據所述當前閾值電壓計算閾值電壓偏移量ΔV_th；

設定數據值N，比較所述數據值N與所述閾值電壓偏移量ΔV_th的大小關系；

根據得到的所述大小關系，調節所述NAND FLASH存儲器的工作模式及系統工作模式。

6.根據權利要求5所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述根據所述當前閾值電壓計算閾值電壓偏移量ΔV_th的計算方式為：

偏移量ΔV_th＝初始閾值電壓值-當前閾值電壓值。

7.根據權利要求5所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述初始閾值電壓為器件規格書中設定的預置電壓范圍。

8.根據權利要求5所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述數據值N為偏移的閾值電壓不能通過改變讀參考電壓優化而設定的臨界值。

9.根據權利要求5所述的存儲系統性能調節方法，其特征在于，所述根據得到的所述大小關系，調節所述NAND FLASH存儲器的工作模式及系統工作模式包括：

在所述ΔV_th＜N時，改變所述NAND FLASH存儲器的讀參考電壓，使所述讀參考電壓等于當前的閾值電壓；

在所述ΔV_th＞N時，改變所述NAND FLASH存儲器的讀參考電壓，使所述讀參考電壓等于當前的閾值電壓，同時將所述NAND FLASH存儲器的工作模式改為SLC模式，同時所述存儲系統數據校驗模式采用BCH或LDPC算法。

10.一種存儲系統，其特征在于，包括數據接口、控制器、存儲器控制器、數據校驗模塊、電源模塊、時鐘電路、DRAM存儲器和NAND FLASH存儲器，所述存儲系統用于實現上述權利要求1-9任一項所述的存儲系統性能調節方法。