[發(fā)明專利]一種制造微電子集成電路元件的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110334525.9
• 申請(qǐng)日: 2021-03-29
• 公開（公告）號(hào): CN113078104A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 惠保鑫;張溢博
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 青島科技大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L21/768
• 分類號(hào): H01L21/768;H01L21/28
• 代理公司: 泰州淘權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32365
• 代理人: 胡煒晨

本發(fā)明公開了一種制造微電子集成電路元件的方法，包括準(zhǔn)備載體基片、具有集成電路的微電子管芯；準(zhǔn)備載體基片和管芯之間的無(wú)流動(dòng)底部填充材料；通過預(yù)加熱無(wú)流動(dòng)底部填充材料改善無(wú)流動(dòng)底部填充材料的潤(rùn)濕和流動(dòng)特性；形成一護(hù)層覆蓋于載體基片上，形成掩膜層；移除部分該護(hù)層，留下部分位于其上，形成犧牲層；形成定高層，定高層位于犧牲層的上表面上的下表面。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種制造微電子集成電路元件的方法。

背景技術(shù)

微電子技術(shù)是一門作用于半導(dǎo)體上的微小型集成電路系統(tǒng)的學(xué)科。微電子技術(shù)的關(guān)鍵在于研究集成電路的工作方式以及如何實(shí)際制造應(yīng)用。

集成電路的發(fā)展依賴于半導(dǎo)體器件的不斷演化。微電子技術(shù)可在納米級(jí)超小的區(qū)域內(nèi)通過固體內(nèi)的微觀電子運(yùn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)信息的處理與傳遞，并且有著很好的集成性。

從本質(zhì)上來看，微電子技術(shù)的核心在于集成電路，它是在各類半導(dǎo)體器件不斷發(fā)展過程中所形成的。在信息化時(shí)代下，微電子技術(shù)對(duì)人類生產(chǎn)、生活都帶來了極大的影響。

發(fā)明內(nèi)容

(一)要解決的技術(shù)問題

為了克服現(xiàn)有技術(shù)不足，現(xiàn)提出一種制造微電子集成電路元件的方法，以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

(二)技術(shù)方案

本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：本發(fā)明提出了一種制造微電子集成電路元件的方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1：準(zhǔn)備載體基片、具有集成電路的微電子管芯；

S2：準(zhǔn)備載體基片和管芯之間的無(wú)流動(dòng)底部填充材料；

S3：通過預(yù)加熱無(wú)流動(dòng)底部填充材料改善無(wú)流動(dòng)底部填充材料的潤(rùn)濕和流動(dòng)特性；

S4：形成一護(hù)層覆蓋于載體基片上，形成掩膜層；

S5：移除部分該護(hù)層，留下部分位于其上，形成犧牲層；

S6：形成定高層，定高層位于犧牲層的上表面上的下表面。

進(jìn)一步而言，無(wú)流動(dòng)底部填充材料在與微電子管芯或載體基片相接觸前被預(yù)加熱。

進(jìn)一步而言，通過將無(wú)流動(dòng)底部填充材料分配到載體基片上并隨后鄰近于無(wú)流動(dòng)底部填充材料以裝配結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步而言，通過將無(wú)流動(dòng)底部填充材料分配到微電子管芯上并隨后鄰近于無(wú)流動(dòng)底部填充材料以裝配結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步而言，形成一柵極介電層于其上方。

進(jìn)一步而言，形成一柵極電極層于其上方。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。

本發(fā)明提出了一種制造微電子集成電路元件的方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1：準(zhǔn)備載體基片、具有集成電路的微電子管芯；

S2：準(zhǔn)備載體基片和管芯之間的無(wú)流動(dòng)底部填充材料；

S3：通過預(yù)加熱無(wú)流動(dòng)底部填充材料改善無(wú)流動(dòng)底部填充材料的潤(rùn)濕和流動(dòng)特性；

S4：形成一護(hù)層覆蓋于載體基片上，形成掩膜層；

S5：移除部分該護(hù)層，留下部分位于其上，形成犧牲層；

S6：形成定高層，定高層位于犧牲層的上表面上的下表面。

第一實(shí)施例：