[發(fā)明專(zhuān)利]顯示基板、顯示基板的制備方法及顯示模組有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110333809.6 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113078199B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-10-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李曼曼;張露;胡思明 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昆山國(guó)顯光電有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11258 | 代理人: | 段月欣 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 制備 方法 模組 | ||
1.一種顯示基板,具有呈陣列分布的多個(gè)發(fā)光組件,其特征在于,所述顯示基板包括:
基底,包括透明襯底層;
驅(qū)動(dòng)器件層,設(shè)置于所述基底的一側(cè),所述驅(qū)動(dòng)器件層包括呈行列分布的多條信號(hào)線,行信號(hào)線和列信號(hào)線交叉界定出多個(gè)子像素電路區(qū)域,各所述子像素電路區(qū)域設(shè)置有像素電路,所述像素電路包括通過(guò)層間絕緣層相互絕緣設(shè)置的多個(gè)功能層;
發(fā)光器件層,設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)器件層背向所述基底的一側(cè),所述發(fā)光器件層包括多個(gè)呈陣列分布的子像素,各所述子像素與各所述像素電路對(duì)應(yīng)連接構(gòu)成所述發(fā)光組件;所述子像素包括層疊設(shè)置的第一電極層、發(fā)光層和第二電極層;
光通量增益結(jié)構(gòu),至少設(shè)置于部分所述子像素電路區(qū)域,在所述顯示基板厚度方向上,所述光通量增益結(jié)構(gòu)由所述透明襯底層向所述發(fā)光器件層背向所述驅(qū)動(dòng)器件層的一側(cè)延伸,在所述子像素電路區(qū)域內(nèi),所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影與所述多個(gè)功能層在所述透明襯底層的正投影位錯(cuò)分布,且所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影與所述第一電極層在所述透明襯底層的正投影位錯(cuò)分布;
所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影的邊界線到所述多個(gè)功能層在所述透明襯底層的正投影的邊界線之間的最短距離D1的取值范圍為D1 ≥ 1.5μm;且所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影的邊界線到所述第一電極層在所述透明襯底層的正投影的邊界線之間的最短距離D2的取值范圍為D2 ≥ 1.5μm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,對(duì)應(yīng)所述光通量增益結(jié)構(gòu)的區(qū)域,入射至所述透明襯底層的光線經(jīng)由所述光通量增益結(jié)構(gòu)從所述發(fā)光器件層出光面出射。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述發(fā)光器件層還包括設(shè)置于所述驅(qū)動(dòng)器件層背向所述基底一側(cè)的像素定義層,所述像素定義層包括多個(gè)像素開(kāi)口,所述子像素位于所述像素開(kāi)口,所述像素定義層在所述透明襯底層的正投影覆蓋所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述光通量增益結(jié)構(gòu)由形成所述像素定義層的透光有機(jī)材料構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示基板,其特征在于,所述光通量增益結(jié)構(gòu)背向所述透明襯底層的一端與所述像素定義層背向所述驅(qū)動(dòng)器件層的一端平齊設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板還包括設(shè)置于所述發(fā)光器件層與所述驅(qū)動(dòng)器件層之間的平坦化層,所述平坦化層設(shè)置于所述像素限定層朝向所述驅(qū)動(dòng)器件層的一側(cè),且具有多個(gè)第一開(kāi)口,所述第一電極層通過(guò)所述第一開(kāi)口與所述像素電路連接,
所述光通量增益結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一介質(zhì)單元和設(shè)置于所述第一介質(zhì)單元背向所述透明襯底層一側(cè)的第二介質(zhì)單元,所述第一介質(zhì)單元由形成所述平坦化層的透光有機(jī)材料構(gòu)成,所述第二介質(zhì)單元由形成所述像素定義層的透光有機(jī)材料構(gòu)成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示基板,其特征在于,所述第二介質(zhì)單元背向所述透明襯底層的一端與所述像素定義層背向所述驅(qū)動(dòng)器件層的一端平齊設(shè)置。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示基板,其特征在于,光通量增益結(jié)構(gòu)由所述透明襯底層延伸至所述像素定義層背向所述驅(qū)動(dòng)器件層的一端,所述光通量增益結(jié)構(gòu)采用透光有機(jī)材料構(gòu)成。
9.根據(jù)權(quán)利要求4至8任一項(xiàng)所述的顯示基板,其特征在于,在所述顯示基板的厚度方向上,所述光通量增益結(jié)構(gòu)的厚度取值范圍為6.5μm ~7.0μm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示基板,其特征在于,
在與所述顯示基板的厚度方向相垂直的第一平面的各方向上、所述光通量增益結(jié)構(gòu)在所述透明襯底層的正投影的最小尺寸d1的取值范圍為d1 2μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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