[發(fā)明專利]多層結構復合隔膜及其制備方法、以及二次電池與用電設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110326143.1
• 申請日: 2021-03-26
• 公開（公告）號: CN112886143B
• 公開（公告）日: 2023-01-24
• 發(fā)明（設計）人: 耿振;劉利霞;李斯劍;蘇青;廖文俊
• 申請（專利權）人: 上海電氣集團股份有限公司
• 主分類號: H01M50/449
• 分類號: H01M50/449;H01M50/403;H01M50/491;H01M50/497;H01M10/0525
• 代理公司: 北京同達信恒知識產(chǎn)權代理有限公司 11291
• 代理人: 劉亞威

1.一種多層結構復合隔膜，其特征在于，所述多層結構復合隔膜包括多孔聚合物基膜、納米氧化物顆粒和點狀聚合物涂層；所述納米氧化物顆粒的粒徑為10-50nm，所述多孔聚合物基膜的孔徑范圍為0.05-0.3μm，所述納米氧化物顆粒嵌入所述多孔聚合物基膜的孔中，并附著在所述多孔聚合物基膜的絲狀結構上；所述多孔聚合物基膜的兩面設置所述點狀聚合物涂層；

其中，通過原子層沉積工藝將納米氧化物顆粒沉積在多孔聚合物基膜的絲狀結構上，使其完全嵌入多孔聚合物基膜的孔中，得到沉積納米氧化物顆粒后的多孔聚合物基膜；

其中，所述原子層沉積工藝的工藝參數(shù)包括：

前驅體溫度30-100℃；反應室真空度20-100Pa；基材溫度80-110℃。

2.根據(jù)權利要求1所述的多層結構復合隔膜，其特征在于，所述多孔聚合物基膜包括聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚酰亞胺或其復合膜。

3.根據(jù)權利要求1所述的多層結構復合隔膜，其特征在于，所述多孔聚合物基膜的厚度為1-100μm。

4.根據(jù)權利要求1所述的多層結構復合隔膜，其特征在于，所述納米氧化物顆粒包括Al₂O₃、TiO₂、SiO₂、ZrO₂、ITO、In₂O₃、SnO₂、HfO₂、Ta₂O₅、Y₂O₃、MgO、La₂O₃、ZnO或NiO中的一種或幾種。

5.根據(jù)權利要求1-4任一項所述的多層結構復合隔膜，其特征在于，所述點狀聚合物涂層包括PVDF材料；所述點狀聚合物涂層的厚度為1-5μm。

6.一種權利要求1-5任一項所述的多層結構復合隔膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在所述沉積納米氧化物顆粒后的多孔聚合物基膜的兩面點狀涂敷聚合物涂層，得到多層結構復合隔膜。

7.根據(jù)權利要求6所述的制備方法，其特征在于，點狀涂敷聚合物涂層的方式為噴涂。

8.一種二次電池，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的多層結構復合隔膜或權利要求6或7所述的制備方法制得的多層結構復合隔膜。

9.一種用電設備，其特征在于，包括權利要求8所述的二次電池。