[發明專利]一種應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法在審
| 申請號： | 202110324972.6 | 申請日： | 2021-03-26 |
| 公開（公告）號： | CN113088894A | 公開（公告）日： | 2021-07-09 |
| 發明（設計）人： | 孫科;張婧;何宗勝;鄔傳健;余忠;蔣曉娜;蘭中文 | 申請（專利權）人： | 電子科技大學 |
| 主分類號： | C23C14/32 | 分類號： | C23C14/32;C23C14/54 |
| 代理公司： | 電子科技大學專利中心 51203 | 代理人： | 吳姍霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 應力 誘導 提高 薄膜 應用 頻率 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、清洗柔性襯底，晾干備用；
步驟2、將清洗后的柔性襯底放入高真空電子束蒸發系統，柔性襯底彎曲后固定在樣品架上，彎曲后的柔性襯底形成的半圓形的半徑為R；
步驟3、抽真空至1.3×10-4Pa～2.0×10-4Pa，開始預熔料，預熔料時，電子槍的電流設定為30mA～40mA，電壓設定為10kV，預熔料時間為4min～5min；預熔料結束后，設定蒸鍍速率為0.1～0.7nm/s，在彎曲的柔性襯底上沉積軟磁薄膜。
2.根據權利要求1所述的應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，所述軟磁薄膜為NiFe薄膜、FeCoN薄膜或FeCoB薄膜。
3.根據權利要求1所述的應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，所述柔性襯底為聚酰亞胺或聚對苯二甲酸乙二醇酯。
4.根據權利要求1所述的應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，步驟2所述柔性襯底彎曲后呈半圓形，為凹形或凸形。
5.根據權利要求1所述的應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，步驟2所述半徑R根據實際要求調節，為5～15mm。
6.根據權利要求1所述的應力誘導提高薄膜應用頻率的薄膜制備方法，其特征在于，步驟3得到的軟磁薄膜的厚度為50～150nm。
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