[發(fā)明專利]半導(dǎo)體影像感測器和制造半導(dǎo)體影像感測器的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202110320061.6
• 申請日: 2021-03-25
• 公開（公告）號: CN114464634A
• 公開（公告）日: 2022-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 盧俊良;邱鉦皓;林煥恩;周俊豪;李國政
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠同業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，包含：

一像素，其中該像素包含：

一第一基板；和

一光電二極管，在該第一基板中；

一互連件結(jié)構(gòu)，電性連接到該像素；以及

一反射結(jié)構(gòu)，在介于該互連件結(jié)構(gòu)和該光電二極管之間，其中該反射結(jié)構(gòu)配置為將通過該光電二極管的光反射回朝向該光電二極管。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，該反射結(jié)構(gòu)包含一氣隙。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，該反射結(jié)構(gòu)包含高折射指數(shù)和低折射指數(shù)的交替的多層。

4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，該互連件結(jié)構(gòu)定義多個溝槽其與該反射結(jié)構(gòu)流體接觸。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，該互連件結(jié)構(gòu)包含一導(dǎo)電元件，該導(dǎo)電元件延伸穿過該反射結(jié)構(gòu)以電性連接到該光電二極管。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，該像素還包含一轉(zhuǎn)移柵極，該轉(zhuǎn)移柵極用于將該光電二極管電性連接到在該第一基板中的一高摻雜的區(qū)域。

7.一種半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，包含：

一像素陣列，其中該像素陣列包含：

一第一像素，配置為檢測綠光；和

一第二像素，配置為檢測除綠光以外的光；

一互連件結(jié)構(gòu)，電性連接到該第一像素和該第二像素中的各者；以及

一第一反射結(jié)構(gòu)，在介于該互連件結(jié)構(gòu)和該第一像素之間，其中該第一互連件結(jié)構(gòu)配置為將穿過該第一像素的光反射回朝向該第一像素，并且介于該互連件結(jié)構(gòu)和該第二像素之間的一空間沒有該第一反射結(jié)構(gòu)。

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，還包含一第二反射結(jié)構(gòu)，其中該像素陣列還包含一第三像素其配置為檢測除綠光之外的光，該第二反射結(jié)構(gòu)配置為將穿過該第三像素的光反射回朝向該第三像素。

9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體影像感測器，其特征在于，還包含一晶體管，該晶體管經(jīng)由該互連件結(jié)構(gòu)而電性連接到該第一像素。

10.一種制造半導(dǎo)體影像感測器的方法，其特征在于，該方法包含：

在一基板中形成一光電二極管；

在該基板中形成一凹陷處；

在該凹陷處中沉積一犧牲材料；

在該犧牲材料上方形成一互連件結(jié)構(gòu)；

在該互連件結(jié)構(gòu)中蝕刻多個溝槽；以及

經(jīng)由使蝕刻劑穿過所述多個溝槽而移除該犧牲材料。