[發明專利]一種基于LTCC的圓極化微帶天線在審
| 申請號: | 202110317896.6 | 申請日: | 2021-03-25 |
| 公開(公告)號: | CN113131206A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 吳樹輝;呂磊 | 申請(專利權)人: | 西安博瑞集信電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q1/38 | 分類號: | H01Q1/38;H01Q1/50;H01Q1/48;H01Q9/04 |
| 代理公司: | 深圳市科進知識產權代理事務所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 魏毅宏 |
| 地址: | 710000 陜西省西安市高新區*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 ltcc 極化 微帶 天線 | ||
1.一種基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,包括下金屬層、中間金屬層、上金屬層、輻射貼片、耦合貼片、射頻輸入焊盤、正交耦合器和接地柱,所述下金屬層、所述中間金屬層、所述上金屬層、所述輻射貼片和所述耦合貼片兩兩間隔設置,并采用LTCC工藝依次從下至上加工而成;所述下金屬層、所述中間金屬層和所述上金屬層三者通過所述接地柱連接;所述下金屬層開設有焊盤窗口,所述射頻輸入焊盤安裝在所述焊盤窗口,所述中間金屬層開設有耦合器窗口,所述正交耦合器基于LTCC工藝設置在所述耦合器窗口,所述輻射貼片設置有第一饋點和第二饋點,第一饋點和第二饋點對稱分布在輻射貼片,所述正交耦合器的輸入端與所述射頻輸入焊盤連通,所述正交耦合器的隔離端與所述中間金屬層連通,所述正交耦合器的直通端與所述第一饋點連通,所述正交耦合器的耦合端與所述第二饋點連通。
2.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括第一金屬柱,所述射頻輸入焊盤通過所述第一金屬柱與所述正交耦合器的輸入端連通。
3.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括接地電阻,所述中間金屬層通過接地電阻與正交耦合器的隔離端連通。
4.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括第一射頻線和第二射頻線,所述第一射頻線的一端與所述正交耦合器的直通端連通,所述第一射頻線的另一端與第一饋點連通,所述第二射頻線的一端與所述正交耦合器的耦合端連通,所述第二射頻線的另一端與所述第二饋點連通。
5.如權利要求4所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括第二金屬柱和第三金屬柱,所述第一射頻線的一端通過第二金屬柱與所述正交耦合器的直通端連通,所述第一射頻線的另一端通過第三金屬柱與第一饋點連通。
6.如權利要求4所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括第四金屬柱和第五金屬柱,所述第二射頻線的一端通過第四金屬柱與所述正交耦合器的耦合端連通,所述第二射頻線的另一端通過第五金屬柱與所述第二饋點連通。
7.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括圍設在所述正交耦合器外側的金屬圈,所述金屬圈位于上金屬層與下金屬層之間,并用于連接所述下金屬層、所述中間金屬層和所述上金屬層。
8.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述基于LTCC的圓極化微帶天線還包括設于上金屬層上的金屬框,所述金屬框圍設在所述輻射貼片和所述耦合貼片的外側。
9.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述LTCC材料為杜邦951、杜邦9K7和Ferro A6-M三者中任一者。
10.如權利要求1所述的基于LTCC的圓極化微帶天線,其特征在于,所述輻射貼片和所述耦合貼片平行放置,所述輻射貼片采用Ag或Au制備而成。
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