[發明專利]一種深孔形成方法以及三維存儲器的形成方法

有效

• 申請號: 202110314877.8
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN112928065B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 楊事成;張莉;闕鳳森;賀曉平;施生巍;李康;鐘磊;陳冠樺
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H10B41/20;H10B43/20
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱宗力

本發明公開了一種深孔形成方法及三維存儲器的形成方法，其中，深孔形成方法形成的堆疊層包括若干層交替排布的第一材料層和第二材料層，在交替排布的第一材料層和第二材料層中，至少有其中兩層第一材料層的折射率不同，且折射率不同的第一材料層中，靠近基底的第一材料層的折射率小于遠離基底的第一材料層的折射率，這使得在對堆疊成進行刻蝕以形成深孔的過程中，折射率較小的第一材料層的刻蝕速率高于折射率較大的第一材料層的刻蝕速率，彌補刻蝕過程中靠近襯底的刻蝕氣體量較小的實際情況，使得刻蝕后靠近襯底的第一材料層的深孔寬度與遠離襯底的第一材料層的深孔寬度趨于一致，進而優化堆棧結構深孔刻蝕后的深孔尺寸。

技術領域

本發明涉及半導體工藝技術領域，更具體地說，涉及一種深孔形成方法以及三維存儲器的形成方法。

背景技術

在三維NAND(與非)存儲器的制備過程中，需要生長多層氮化物和氧化物交替堆疊設置的堆疊結構，且需要在堆疊結構基于刻蝕工藝形成深孔，以為后續形成硅立柱等結構奠定基礎。

在實際制備過程中發現，現有的深孔形成過程中通常會出現如圖1所示的深孔H直徑不一致的問題，對后續的三維NAND存儲器的制備產生不良影響。

發明內容

有鑒于此，為解決上述問題，本發明提供一種深孔形成方法以及三維存儲器的形成方法，技術方案如下：

一種深孔形成方法，包括：

形成基底；

形成位于所述基底上的堆疊層，所述堆疊層包括若干層交替排布的第一材料層和第二材料層，至少有其中兩層所述第一材料層的折射率不同，且所述其中兩層所述第一材料層中，靠近所述基底的所述第一材料層的折射率小于遠離所述基底的所述第一材料層的折射率；

對所述堆疊層進行刻蝕以形成深孔，所述刻蝕中折射率較小的第一材料層的刻蝕速率高于折射率較大的第一材料層的刻蝕速率?？蛇x的，在上述堆棧結構中，在所述第一方向上，形成所述SiN層的硅烷流量逐漸增大。

可選的，所述堆疊層包含第一子堆疊層和第二子堆疊層，所述第一子堆疊層位于所述基底與第二子堆疊層之間；

所述第一子堆疊層中的所有第一材料層的折射率相同，所述第二子堆疊層中的所有第一材料層的折射率相同，所述第一子堆疊層中的第一材料層折射率小于所述第二子堆疊層中的第一材料層折射率。

可選的，任意相鄰的兩個所述第一材料層中，靠近所述基底的所述第一材料層的折射率小于遠離所述基底的所述第一材料層的折射率。

可選的，任意相鄰的兩個所述第一材料層的折射率差值均為預設步長。

可選的，所述第一材料層的折射率與所述第一材料層與所述基底之間的距離滿足預設函數關系；

所述預設函數關系包括遞增函數。

可選的，所述第一材料層為氮化硅層。

可選的，所述形成位于所述基底上的堆疊層，包括：

采用不同的硅烷流量以形成折射率不同的第一材料層；

其中，所述硅烷流量和所述折射率成正比。

可選的，所述形成位于所述基底上的堆疊層，包括：

采用不同的氨氣流量以形成折射率不同的第一材料層；

其中，所述氨氣流量和所述折射率成反比。

可選的，所述形成位于所述基底上的堆疊層，包括：

采用不同的加工溫度以形成折射率不同的第一材料層；

其中，所述加工溫度和所述折射率成正比。