[發(fā)明專利]一種島狀納米多孔金基底的制備方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202110312059.4
• 申請日: 2021-03-24
• 公開（公告）號: CN113088906A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發(fā)明（設計）人: 張玲;周俊杰;曾和平
• 申請（專利權(quán)）人: 上海理工大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/58;G01N21/65
• 代理公司: 上海邦德專利代理事務所(普通合伙) 31312
• 代理人: 余昌昊

1.一種島狀納米多孔金基底的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、進行準備鍍膜的材料，制備純鉻靶材、純金靶材、金銀合金靶材；

S2、使用磁控濺射鍍膜儀在單晶硅表面依次濺射鉻膜、金膜、和金銀合金薄膜，得到薄膜前驅(qū)體；

S3、利用合金成分化學活性差異，采用試劑去除合金中的銀素，形成多孔金；

S4、取出樣品，先用去離子水沖洗數(shù)次，以出去樣品表面吸附的試劑，然后用氮氣吹干，得到島狀納米多孔金SERS基底；

S5、對所述步驟S4中的基底進行拉曼信號的檢測。

2.如權(quán)利要求1所述的一種島狀納米多孔金基底的制備方法，其特征在于，所述基底為散開島嶼狀的結(jié)構(gòu)且為納米多孔金的雙連續(xù)金韌帶或孔道結(jié)構(gòu)。

3.如權(quán)利要求2所述的一種島狀納米多孔金基底的制備方法，其特征在于，所述基底三維雙連續(xù)結(jié)構(gòu)被脫合金過程中薄膜收縮形成的間隔分割成金團簇島嶼，且構(gòu)成島嶼的金韌帶之間的納米孔尺寸遠小金韌帶尺寸。

4.如權(quán)利要求3所述的一種島狀納米多孔金基底的制備方法，其特征在于，所述直徑的尺寸由薄膜前驅(qū)體的厚度與脫合金的時間決定。

5.如權(quán)利要求1所述的一種島狀納米多孔金基底的制備方法，其特征在于，所述步驟S5包括以下步驟:

S51、將基底浸泡在10^-6M的羅丹明6G溶液中，兩小時后取出基底，用去離子水沖洗掉基底表面的R6G溶液，用氮氣吹干基底；

S52、選用波長為532nm的激光進行光譜檢測，激光功率為0.5mw，信號采集時間為1秒。