[發(fā)明專利]一種鎂納米線薄膜及其制備方法和應(yīng)用

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110308343.4
• 申請(qǐng)日: 2021-03-23
• 公開（公告）號(hào): CN113061860B
• 公開（公告）日: 2022-04-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 徐州工程學(xué)院
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35;C23C14/18;C23C14/16;B82Y40/00;B82Y30/00;H01M8/04082
• 代理公司: 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385
• 代理人: 戴嵩瑋

1.一種鎂納米線薄膜的制備方法，采用磁控濺射在基底上沉積鎂納米線薄膜：

所述磁控濺射的靶材為Mg靶；

所述Mg靶與基底之間的距離為60~80 mm；

所述磁控濺射在氬氣保護(hù)下進(jìn)行；

所述磁控濺射時(shí)基底的溫度為25~100℃；

所述磁控濺射時(shí)基底的傾斜角度60°α89°；

所述磁控濺射的功率為20~100 W；

所述磁控濺射時(shí)的工作氣壓為0.13~1.3 Pa。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述基底包括導(dǎo)電硅晶片、SiO₂片或Al₂O₃片。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述Mg靶的純度大于等于99.99 wt%。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射時(shí)基底的溫度為25~80℃。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述磁控濺射的時(shí)間為10~60 min。

6.權(quán)利要求1~5任意一項(xiàng)所述制備方法制備的鎂納米線薄膜，所述鎂納米線薄膜中鎂納米線的直徑為20~100 nm。

7.權(quán)利要求6所述的鎂納米線薄膜作為儲(chǔ)氫固態(tài)材料的應(yīng)用。