[發(fā)明專(zhuān)利]一種光療用藍(lán)綠光芯片的外延結(jié)構(gòu)及制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110307983.3
• 申請(qǐng)日: 2021-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113078244B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-09-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅軼;張健;郭慶霞;易斌;吳雪
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京創(chuàng)盈光電醫(yī)療科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L33/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L33/02;H01L33/04;H01L33/06;H01L33/10;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/36;H01L33/00;A61N5/06
• 代理公司: 北京維正專(zhuān)利代理有限公司 11508
• 代理人: 張瑞雪

1.一種光療用藍(lán)綠光芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底(6)和依次設(shè)于襯底(6)上的反射DBR層(7)、第一n型GaN層(8)、第一量子阱層(9)、第一p型GaN層(10)、出射DBR層(11)、隧道結(jié)(12)和GaN基LED外延片(13)，所述反射DBR層(7)包括32-38對(duì)Ⅲ-Ⅴ族化合物層，所述出射DBR層(11)包括8-12對(duì)Ⅲ-Ⅴ族化合物層，每對(duì)所述Ⅲ-Ⅴ族化合物層由GaN層和AlN層依次堆疊組成或由GaN層和GaAlN層依次堆疊組成，所述GaN層靠近襯底(6)，所述AlN層或GaAlN層靠近第一n型GaN層(8)，所述GaN基LED外延片(13)包括第二n型GaN層(131)和依次設(shè)于第二n型GaN層(131)上的第二量子阱層(132)和第二p型GaN層(133)，所述第二量子阱層(132)和第二p型GaN層(133)之間設(shè)有p型AlGaN層(134)，所述第一量子阱層(9)和第二量子阱層(132)均包括5-50對(duì)InGaN/GaN層，每對(duì)所述InGaN/GaN層由量子阱層InGaN和量子壘層GaN組成，所述量子阱層InGaN的一側(cè)靠近襯底(6)，所述量子阱層InGaN的另一側(cè)靠近量子壘層GaN，所述襯底(6)上設(shè)有100-1000nm厚的AlN緩沖層(15)，所述反射DBR層(7)設(shè)于AlN緩沖層(15)上，所述隧道結(jié)(12)是摻雜濃度為1E16-1E23cm^-3的GaN/AlGaN層結(jié)構(gòu)，所述隧道結(jié)(12)的厚度為10-60nm，所述GaN/AlGaN層結(jié)構(gòu)由GaN層和AlGaN層依次堆疊組成，所述GaN層靠近出射DBR層(11)，所述AlGaN層靠近GaN基LED外延片(13)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光療用藍(lán)綠光芯片的外延結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二p型GaN層(133)上設(shè)有歐姆接觸層(14)，所述歐姆接觸層(14)是摻雜濃度為1E20-1E24cm^-3的p型GaN層。

3.權(quán)利要求1-2任一項(xiàng)所述的光療用藍(lán)綠光芯片的外延結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在襯底(6)上生長(zhǎng)反射DBR層(7)；

(2)在反射DBR層(7)上沉積n型GaN，得到第一n型GaN層(8)；

(3)在第一n型GaN層(8)上沉積量子阱層，得到第一量子阱層(9)；

(4)在第一量子阱層(9)上沉積p型GaN，得到第一p型GaN層(10)；

(5)在第一p型GaN層(10)上生長(zhǎng)出射DBR層(11)；

(6)在出射DBR層(11)生長(zhǎng)隧道結(jié)(12)；

(7)在隧道結(jié)(12)上生長(zhǎng)GaN基LED外延片(13)，退火，即得光療用藍(lán)綠光芯片的外延結(jié)構(gòu)。