[發(fā)明專(zhuān)利]彈性波器件封裝與包含彈性波器件的模塊

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110307732.5
• 申請(qǐng)日: 2021-03-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113452336A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 熊谷浩一;中村博文;門(mén)川裕
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 三安日本科技株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H03H3/02
• 分類(lèi)號(hào): H03H3/02;H03H9/145
• 代理公司: 北京泰吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11355
• 代理人: 史瞳;謝瓊慧

本發(fā)明的彈性波器件封裝，包含在壓電基板的表面設(shè)置梳狀電極而形成的彈性波器件、與所述彈性波器件的所述表面之間形成間隙且供所述彈性波器件搭載的封裝基板，及形成于所述封裝基板的搭載側(cè)的所述彈性波器件的封裝樹(shù)脂，通過(guò)所述封裝樹(shù)脂在所述封裝基板與所述彈性波器件間形成環(huán)繞所述梳狀電極的中空部，且在所述封裝樹(shù)脂與所述彈性波器件間，所述彈性波器件在相對(duì)于所述表面的相對(duì)面的至少80％的面積覆蓋有導(dǎo)電性樹(shù)脂層。所述彈性波器件封裝通過(guò)所述導(dǎo)電性樹(shù)脂層，能適當(dāng)且合理地賦予可抑止所述ESD破壞的結(jié)構(gòu)、也就是能提升ESD耐受性的結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及彈性波器件封裝與包含彈性波器件的模塊的改良。

背景技術(shù)

移動(dòng)通信裝置中使用的彈性波器件，一般是在諸如鉭酸鋰或鈮酸鋰之類(lèi)的壓電基板上形成梳狀電極(IDT：Inter-Digital Transducer)，而構(gòu)成例如帶通濾波器等具有頻率濾波性能的器件。以帶通濾波器為例，其中心頻率是由使用的壓電基板的傳播速度與所述梳狀電極的電極指的間距與電極指的長(zhǎng)度決定。隨著近年來(lái)移動(dòng)通信使用頻率的高頻化，構(gòu)成所述彈性波器件的所述梳狀電極的電極指的間距有逐漸變小的傾向。因此，在梳狀電極帶電的情況下，成對(duì)的梳狀電極間電荷的差異，會(huì)在梳狀電極形成比以往更大的電場(chǎng)(電位差)，而引起一般被稱(chēng)為ESD(Electro-Static Discharge)破壞的、在梳狀電極間因?yàn)榉烹姸斐傻钠茐呐c損傷。

這里，近年來(lái)因?yàn)閺椥圆ㄆ骷漠a(chǎn)線自動(dòng)化，減少了人類(lèi)在制程中與器件接觸的機(jī)會(huì)，而讓HBM(Human Body Model)模式的ESD破壞有減少的趨勢(shì)。

另一方面，自動(dòng)化裝置中的彈性波器件會(huì)因?yàn)槟Σ粱蜢o電誘導(dǎo)而帶電，所述帶電的彈性波器件與金屬接觸容易引起ESD破壞。

像這樣的ESD破壞被稱(chēng)為CDM(Charged Device Model)模式，目前彈性波器件在構(gòu)造上還缺乏有效的應(yīng)對(duì)措施。因此，在彈性波器件的制造過(guò)程中，不得已會(huì)在產(chǎn)線中容易引起靜電的場(chǎng)所采取設(shè)置靜電消除器(Ionizer)的應(yīng)對(duì)措施。另外，在彈性波器件的安裝過(guò)程中也無(wú)可避免地要采取靜電管理，因此伴隨而來(lái)的設(shè)備投資或工時(shí)的增加將導(dǎo)致彈性波器件及包含彈性波器件的零件或是機(jī)器的成本提高。

再者，由于彈性波器件的功能的多樣化，在一個(gè)彈性波器件中可以設(shè)置十個(gè)以上的梳狀電極，在這之中，存在著不與外部端子連接且電位相對(duì)外部無(wú)法固定的浮動(dòng)電極圖案。所述浮動(dòng)電極圖案一旦累積電荷將會(huì)很難消除，而容易導(dǎo)致ESD破壞。

此外，為了防止彈性波器件的制造過(guò)程中的焦電破壞，有專(zhuān)利文獻(xiàn)1(特開(kāi)2006-33053號(hào)公報(bào))中所示，在制造過(guò)程中將構(gòu)成彈性波器件的彈性波器件的電極圖案與導(dǎo)電性組件接觸的技術(shù)。另外，也有專(zhuān)利文獻(xiàn)2(特開(kāi)平9-172349號(hào)公報(bào))與專(zhuān)利文獻(xiàn)3(特開(kāi)平9-116364號(hào)公報(bào))中所示，為達(dá)到同樣的目的，在彈性波器件的制造過(guò)程中，在所述彈性波器件的電極圖案的形成面上覆蓋具有導(dǎo)電高分子的保護(hù)膜，之后再將所述保護(hù)膜除去的技術(shù)。然而，所述專(zhuān)利文獻(xiàn)1～3的目的并非是抑止ESD破壞，并且，其彈性波器件本身也不具備抑制ESD破壞的結(jié)構(gòu)。此外，專(zhuān)利文獻(xiàn)4(特許第3439975號(hào)公報(bào))中的導(dǎo)電性樹(shù)脂層連接于接地用的導(dǎo)體圖案的構(gòu)成組件，與本發(fā)明的基本結(jié)構(gòu)不同。再者，專(zhuān)利文獻(xiàn)4中為了讓導(dǎo)電性樹(shù)脂具有電磁屏蔽層的功能，所述導(dǎo)電性樹(shù)脂為「厚度為1mm以下且阻抗值為10Ω·cm以下的材料」，較佳地，具有較低的阻抗值。本發(fā)明為了提升ESD的耐受性，且基于后述的理由，導(dǎo)電性樹(shù)脂不需要具有與金屬膜相當(dāng)?shù)牡妥杩怪担夷康呐c構(gòu)成也不同。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于上述問(wèn)題，其目的為針對(duì)包含彈性波器件封裝及彈性波器件的模塊，能適當(dāng)且合理地賦予可抑止所述ESD破壞的結(jié)構(gòu)、也就是能提升ESD耐受性的結(jié)構(gòu)。