[發明專利]GaAs芯片失效分析樣品及制備方法在審
| 申請號： | 202110303325.7 | 申請日： | 2021-03-22 |
| 公開（公告）號： | CN113075522A | 公開（公告）日： | 2021-07-06 |
| 發明（設計）人： | 殷榮;陳佳妃 | 申請（專利權）人： | 蘇試宜特（上海）檢測技術有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海唯源專利代理有限公司 31229 | 代理人： | 季辰玲 |
| 地址： | 201103 上海市閔*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | gaas 芯片 失效 分析 樣品 制備 方法 | ||
1.一種GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，包括步驟：
對GaAs芯片的基板進行研磨，使所述GaAs芯片露出晶背；
對露出晶背的GaAs芯片進行熱點定位，確認失效位置；
對所述GaAs芯片的晶背進行物理減薄，使減薄后的厚度滿足切割操作厚度；
利用紅外顯微鏡對減薄后的GaAs芯片進行掃描并再次確認所述失效位置；
根據所述失效位置對減薄后的GaAs芯片進行切割并形成失效分析樣品。
2.如權利要求1所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，所述切割操作厚度不超過30微米。
3.如權利要求1所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，采用研磨盤對所述GaAs芯片的晶背進行物理減薄。
4.如權利要求3所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，在對所述GaAs芯片的晶背進行物理減薄時，以較大強度研磨所述失效位置以外的區域，以較小強度研磨所述失效位置，且在所述失效位置以外的區域露出金屬走線時停止研磨。
5.如權利要求1所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，先對所述GaAs芯片進行電性確認，當確認所述GaAs芯片具有電性故障時，再對GaAs芯片的基板進行研磨。
6.如權利要求5所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，根據所述電性確認情況選擇適合的熱點定位設備進行所述熱點定位。
7.如權利要求1所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，利用OBIRCH/InGaAs EMMI/ThermalEMMI設備進行所述熱點定位，利用所述OBIRCH設備上的紅外顯微鏡對減薄后的GaAs芯片進行掃描并再次確認所述失效位置。
8.如權利要求1所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法，其特征在于，采用雙束型聚焦離子束對減薄后的GaAs芯片進行切割并形成失效分析樣品。
9.一種GaAs芯片失效分析樣品，其特征在于，利用如權利要求1～8任意一項所述的GaAs芯片失效分析樣品制備方法制備得到。
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