[發(fā)明專利]一種顯示基板及其制作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110301833.1 | 申請日: | 2021-03-22 |
| 公開(公告)號: | CN113097241B | 公開(公告)日: | 2022-09-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 劉念;盧馬才 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/15 | 分類號: | H01L27/15;G09F9/30 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570 | 代理人: | 張曉薇 |
| 地址: | 518132 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 顯示 及其 制作方法 | ||
本發(fā)明提供一種顯示基板及其制作方法,該顯示基板包括位于基板上的源極和漏極,覆蓋源極和漏極的第一層間介質(zhì)層,位于第一層間介質(zhì)層、源極和漏極上的第一導(dǎo)體層,位于第一導(dǎo)體層上的第一柵極絕緣層,以及位于第一柵極絕緣層上的第一柵極層。其中,第一層間介質(zhì)層在源極和漏極的上方分別具有開孔,使第一導(dǎo)體層可以通過開孔與源極和漏極連接。由于第一導(dǎo)體層作為有源層,同時與源極和漏極連接作為源漏極的導(dǎo)線,因此不需要另外形成源漏極導(dǎo)線,結(jié)構(gòu)簡單。另外,第一層間介質(zhì)層的開孔相對于現(xiàn)有結(jié)構(gòu)中緩沖層和層間介質(zhì)層的開孔,深度減小,因而可以降低工藝難度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種顯示基板及其制作方法。
背景技術(shù)
作為新興顯示技術(shù),自發(fā)光顯示器比如微型發(fā)光二極管(Micro Light-emittingDiode,Micro LED)和有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED),相較于傳統(tǒng)液晶顯示器(Light Crystal Display,LCD)顯示有較多優(yōu)勢,如較低的功耗,較高的色域,較快的相應(yīng)速率等,被視為較有發(fā)展前景的一種顯示技術(shù)。因此,較多面板廠家參與Micro LED、OLED技術(shù)的開發(fā)之中。受到轉(zhuǎn)移技術(shù)及電流驅(qū)動帶來的影響,MicroLED目前僅能做較小尺寸,若要實(shí)現(xiàn)大尺寸顯示,需要采用拼接的技術(shù)方案。同時,折疊顯示作為新的顯示形態(tài)受到越來越多消費(fèi)者青睞。拼接與折疊均需要采用柔性基板彎折技術(shù)實(shí)現(xiàn)。
現(xiàn)有的頂柵型薄膜晶體管(Thin Film Transistor,TFT)是先在基板上形成有源層,在有源層上形成層間介質(zhì)層和緩沖層,然后對層間介質(zhì)層和緩沖層打孔形成與有源層連接的源漏極,最后形成與源漏極連接的導(dǎo)線,導(dǎo)致開孔尺寸較深,工藝難度較大,而且結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種顯示基板及其制作方法,旨在簡化結(jié)構(gòu),縮小開孔深度,降低工藝難度。
一方面,本發(fā)明提供一種顯示基板,所述顯示基板包括平坦區(qū)和折疊區(qū),所述平坦區(qū)包括薄膜晶體管區(qū)、電容區(qū)和綁定區(qū),所述顯示基板在縱向包括:
基板;
位于所述基板上的金屬層,所述金屬層包括位于所述薄膜晶體管區(qū)的源極和漏極;
覆蓋所述源極和所述漏極的第一層間介質(zhì)層,所述第一層間介質(zhì)層在所述源極和所述漏極的上方分別具有開孔;
位于所述第一層間介質(zhì)層、所述源極和所述漏極上的第一導(dǎo)體層,所述第一導(dǎo)體層通過所述開孔與所述源極和所述漏極連接;
位于所述第一導(dǎo)體層上的第一柵極絕緣層;
位于所述第一柵極絕緣層上的第一柵極層。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述金屬層還包括位于所述折疊區(qū)的第一金屬線,所述顯示基板在所述縱向還包括:位于所述第一金屬線上的第二層間介質(zhì)層,位于所述第二層間介質(zhì)層上的第二柵極絕緣層,位于所述第二柵極絕緣層上的第二柵極層,以及覆蓋所述第一金屬線、所述第二層間介質(zhì)層、所述第二柵極絕緣層和所述第二柵極層的有機(jī)層。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述金屬層還包括位于所述折疊區(qū)的第一金屬線,所述顯示基板在所述縱向還包括:位于所述第一金屬線上的第二層間介質(zhì)層,以及覆蓋所述第一金屬線和所述第二層間介質(zhì)層的有機(jī)層。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述顯示基板在所述縱向還包括:位于所述折疊區(qū)的第二柵極絕緣層,位于所述第二柵極絕緣層上的第二柵極層,以及覆蓋所述第二柵極絕緣層和所述第二柵極層的有機(jī)層。
進(jìn)一步優(yōu)選的,所述金屬層還包括位于所述綁定區(qū)的第二金屬線,所述顯示基板在所述縱向還包括:位于所述第二金屬線上的第二導(dǎo)體層,以及位于所述第二導(dǎo)體層上的陽極層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





