[發明專利]一種半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 202110301167.1
• 申請日: 2021-03-22
• 公開（公告）號: CN113066795B
• 公開（公告）日: 2022-02-22
• 發明（設計）人: 楊永剛
• 申請（專利權）人: 長江存儲科技有限責任公司
• 主分類號: H01L27/11524
• 分類號: H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 汪阮磊

1.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底，并在所述襯底上形成堆疊層，所述堆疊層包括在縱向交替層疊的第一絕緣層和第一犧牲層，所述堆疊層的頂部為所述第一絕緣層；

對所述堆疊層的邊緣進行刻蝕以形成第一臺階結構，所述第一臺階結構在各臺階處暴露出所述第一絕緣層以及所述第一犧牲層的縱向側壁；

對所述第一犧牲層的縱向側壁進行部分氧化以形成側壁氧化物；

去除各臺階處暴露出的所述第一絕緣層以形成第二臺階結構，以使所述第二臺階結構在各臺階處暴露出所述第一犧牲層和側壁氧化物的上表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：

在所述第二臺階結構上沉積犧牲材料；

去除所述側壁氧化物的側壁的所述犧牲材料，以形成位于所述第一犧牲層和側壁氧化物的上表面的第二犧牲層，所述第二犧牲層在所述第二臺階結構的各臺階側壁處不連續。

3.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：

形成覆蓋所述第二臺階結構和第二犧牲層的第二絕緣層；

形成在所述縱向穿過所述第二絕緣層且與所述第二臺階結構各臺階處的所述第二犧牲層連接的字線觸點。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述對所述第一犧牲層的縱向側壁進行部分氧化以形成側壁氧化物的步驟，包括：采用爐管氧化工藝將所述第一犧牲層的縱向側壁氧化成所述側壁氧化物。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述對所述第一犧牲層的縱向側壁進行部分氧化以形成側壁氧化物的步驟，包括：采用等離子體氧化工藝將所述第一犧牲層的縱向側壁氧化成所述側壁氧化物。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述采用等離子體氧化工藝將所述第一犧牲層的縱向側壁氧化成所述側壁氧化物的步驟之前，還包括：對所述第一犧牲層的邊緣進行刻蝕。

7.根據權利要求1所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一絕緣層的縱向側壁與位于所述第一絕緣層上方的所述側壁氧化物邊緣的縱向側壁對齊。

8.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第二犧牲層邊緣的縱向側壁與位于所述第二犧牲層下方的所述側壁氧化物邊緣的縱向側壁對齊。

9.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，所述第一犧牲層和第二犧牲層為氮化硅，所述側壁氧化物為氧化硅。

10.根據權利要求2所述的半導體器件的制備方法，其特征在于，還包括：將所述第一犧牲層和第二犧牲層置換為柵極層。

11.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的臺階結構，所述臺階結構包括在縱向堆疊的多對第一絕緣層和層間柵極層，所述層間柵極層露出于所述臺階結構在各臺階的水平臺面，所述層間柵極層在所述臺階處包括第一柵極層，以及位于所述第一柵極層的縱向側壁且位于所述臺階邊緣的側壁氧化物；

其中，所述側壁氧化物與所述第一柵極層同層，且覆蓋所述第一絕緣層的部分上表面。

12.根據權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，還包括位于所述臺階處的所述第一柵極層和側壁氧化物上表面的第二柵極層，且各臺階處的所述第二柵極層被所述側壁氧化物隔開。

13.根據權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，還包括：

覆蓋所述臺階結構和第二柵極層的第二絕緣層；

在所述縱向穿過所述第二絕緣層且與所述臺階結構各臺階處的所述第二柵極層連接的字線觸點。