[發(fā)明專利]一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202110296082.9 | 申請(qǐng)日: | 2021-03-19 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113046834A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 不公告發(fā)明人 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 哈爾濱化興軟控科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | C30B35/00 | 分類號(hào): | C30B35/00;C01B21/072;C30B29/40 |
| 代理公司: | 哈爾濱市偉晨專利代理事務(wù)所(普通合伙) 23209 | 代理人: | 韓立巖 |
| 地址: | 150000 黑龍江省哈爾濱市高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)哈工大沿海*** | 國(guó)省代碼: | 黑龍江;23 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pvt 氮化 晶體生長(zhǎng) 殘余 原料 回收 利用 方法 | ||
1.一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:包括如下步驟:
步驟1、氮化鋁晶體生長(zhǎng)結(jié)束后,取氮化鋁晶體生長(zhǎng)后的原料,破碎為0.1-1cm的顆粒原料,待用
步驟2、將步驟1得到的顆粒原料置于球磨機(jī)中,球磨后得到0.005-0.1mm的微粉原料,待用;
步驟3、將步驟2得到微粉原料烘干后,用氫氟酸和硝酸的混合溶液進(jìn)行洗滌,然后經(jīng)超純水清洗、然后經(jīng)過(guò)乙醇超聲清洗、烘干,得到高純氮化鋁粉體;
步驟4、將步驟3得到的高純氮化鋁粉體進(jìn)行冷等靜壓成型,得到高純氮化鋁塊體原料;
步驟5、將步驟4得到的高純氮化鋁塊體原料在氣氛保護(hù)下加熱至1500-1700℃,高溫煅燒10-20h,冷卻后得到5N級(jí)高純氮化鋁塊狀原料。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟1中破碎采用EP-100型破碎機(jī),生產(chǎn)能力0.2-1.0t/h,破碎時(shí)間1-10min。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟2中球磨采用高速球磨機(jī),用氮化鋁陶瓷球進(jìn)行球磨,球磨轉(zhuǎn)速為1500-2000r/min,球磨時(shí)間為10-15h。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟3中微粉原料和混合溶液的料液比為1:2-3g/ml,洗滌時(shí)間為0.5-2h。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟3中其中氫氟酸和硝酸的混合溶液中氫氟酸和硝酸的質(zhì)量比為1:1-3,所用氫氟酸的濃度為10-20wt%,所用硝酸的濃度為30-50wt%。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟3中超純水清洗2-3次后,乙醇的超聲清洗時(shí)間為10-20min,超聲清洗的頻率為1000-2000Hz,烘干溫度為100-120℃,烘干時(shí)間30-60min。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟4中冷等靜壓的壓力為100-200Mpa。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種PVT法氮化鋁晶體生長(zhǎng)殘余原料的回收利用方法,其特征在于:步驟5中保護(hù)氣氛為氮?dú)狻?/p>
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