[發(fā)明專利]掩模組件、制造顯示設(shè)備的設(shè)備和制造顯示設(shè)備的方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202110296022.7
• 申請(qǐng)日: 2021-03-19
• 公開（公告）號(hào): CN113445003A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金相勛;樸鐘圣;張?jiān)瓨s
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/04
• 分類號(hào): C23C14/04;C23C16/04;H01L21/32;H01L27/32
• 代理公司: 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018
• 代理人: 翟洪玲;周艷玲

提供一種掩模組件、制造顯示設(shè)備的設(shè)備和制造顯示設(shè)備的方法，所述掩模組件包括：掩?？蚣?，包括開口；以及掩模，布置在所述掩?？蚣苌喜⑶野ǔ练e區(qū)和圍繞所述沉積區(qū)布置的非開口區(qū)，所述沉積區(qū)面對(duì)所述開口以接收沉積材料。所述非開口區(qū)在所述掩模的長(zhǎng)度方向上的寬度為大約200μm至大約500μm。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2020年3月25日提交的第10-2020-0036430號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，該韓國專利申請(qǐng)出于所有目的通過引用合并于此，如同在本文中充分闡述的一樣。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的示例性實(shí)施例總體上涉及掩模組件和制造顯示設(shè)備的設(shè)備，更具體地，涉及一種具有提高的沉積良率的掩模組件和一種制造顯示設(shè)備的方法。

背景技術(shù)

隨著信息社會(huì)的發(fā)展，對(duì)用于顯示各種類型的圖像的顯示設(shè)備的需求正在增加。在顯示設(shè)備領(lǐng)域中，大尺寸的陰極射線管(CRT)已經(jīng)迅速發(fā)展成薄的、輕的且面積大的平板顯示器(FPD)。FPD的示例包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示面板(PDP)、有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)和電泳顯示器(ED)。

顯示設(shè)備中的OLED包括有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管包括對(duì)電極、像素電極和發(fā)射層。對(duì)電極、像素電極和發(fā)射層可以經(jīng)由各種方法形成，其中一種方法是獨(dú)立沉積方法。在該獨(dú)立沉積方法中，將精細(xì)金屬掩模(FMM)延伸并附著到掩模框架，并且將沉積材料沉積在要在其上執(zhí)行沉積的表面上。

在該背景技術(shù)部分中公開的上述信息僅用于理解本發(fā)明構(gòu)思的背景技術(shù)，因此，其可能包含不構(gòu)成現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的一方面在于提供一種掩模組件和制造顯示設(shè)備的設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例構(gòu)造的裝置能夠具有提高的像素位置精度(PPA)。

附加方面將在接下來的描述中部分地闡述，并且附加方面將部分地通過該描述變得明顯，或者可以通過本公開提出的實(shí)施例的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施方式，一種掩模組件包括：掩?？蚣埽ㄩ_口并且圍繞所述開口；以及掩模，布置在所述掩?？蚣苌喜⑶野ǔ练e區(qū)和圍繞所述沉積區(qū)的非開口區(qū)，所述沉積區(qū)面對(duì)所述開口以接收沉積材料，其中所述非開口區(qū)在所述掩模的長(zhǎng)度方向上的寬度為大約200μm至大約500μm。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模的所述非開口區(qū)可以包括第一部分和第二部分，所述第二部分具有小于所述第一部分的厚度的厚度。

根據(jù)一實(shí)施例，所述第二部分可以通過在所述掩模的厚度方向上半蝕刻獲得。

根據(jù)一實(shí)施例，所述非開口區(qū)可以圍繞所述沉積區(qū)的至少一部分。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模框架可以進(jìn)一步包括在與所述掩模的所述長(zhǎng)度方向相交的方向上延伸的支撐桿。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模的所述非開口區(qū)可以與所述支撐桿重疊。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩?？梢赃M(jìn)一步包括焊接且固定到所述掩?？蚣艿暮附訁^(qū)。

根據(jù)一實(shí)施例，所述焊接區(qū)可以被提供在所述掩模的兩端。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模的所述焊接區(qū)可以包括第一熔核。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模的所述非開口區(qū)可以包括第二熔核。

根據(jù)一實(shí)施例，所述掩模的寬度可以小于所述開口的寬度，并且多個(gè)掩模可以安裝在所述掩模框架上。