[發明專利]半導體裝置以及半導體裝置的制造方法

在審

• 申請號: 202110295792.X
• 申請日: 2021-03-19
• 公開（公告）號: CN113451262A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 古川貴光
• 申請（專利權）人: 拉碧斯半導體株式會社
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;金雪梅

1.一種半導體裝置，具備：

半導體基板；

種子層，形成在上述半導體基板上；以及

布線，形成在上述種子層上，上述布線包含拉開間隔排列的并列部分，并且在該并列部分形成沿上述并列的排列方向貫通的貫通路徑。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，

上述貫通路徑的高度為上述布線的高度的10％以上且15％以下。

3.一種半導體裝置的制造方法，包括：

在半導體基板上形成種子層的工序；

在上述種子層上涂敷抗蝕劑的工序；

在上述抗蝕劑上配置掩模部件的工序，其中，上述掩模部件具有遮光部和線狀部，上述遮光部以通過表示布線的形狀的布線圖案使上述抗蝕劑露出的方式覆蓋上述抗蝕劑的其它部分，上述線狀部在俯視上述布線的形狀時遍及拉開間隔排列的并列部分，覆蓋上述抗蝕劑；

通過使用上述掩模部件對上述抗蝕劑進行曝光來形成抗蝕劑圖案，其中，上述抗蝕劑圖案開口布線圖案，并且通過上述線狀部在與上述并列部分對應地拉開間隔排列的抗蝕劑間在開口的底部連結成線狀；

在上述抗蝕劑圖案中上述種子層上的抗蝕劑被去除而開口的部位形成布線；以及

通過蝕刻，去除上述種子層。

4.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

上述線狀部形成為具有小于曝光機的分辨極限的寬度的一條線狀。

5.根據權利要求3所述的半導體裝置的制造方法，其中，

上述線狀部包含多個線狀體，上述多個線狀體具有小于曝光機的分辨極限的寬度，并且配置成小于上述分辨極限的間隔。