[發明專利]光罩組件、圖形化掩膜及其形成方法、有源區的形成方法有效
| 申請號: | 202110295543.0 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113066715B | 公開(公告)日: | 2022-07-05 |
| 發明(設計)人: | 鈔付芳;張君君;吳志民 | 申請(專利權)人: | 長鑫存儲技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027 |
| 代理公司: | 華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 郭鳳杰 |
| 地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 組件 圖形 化掩膜 及其 形成 方法 有源 | ||
1.一種光罩組件,用于在襯底上形成圖形化掩膜,所述襯底具有第一區域以及包圍所述第一區域的第二區域,其特征在于,所述光罩組件包括:
第一光罩,用于在所述襯底上形成第一圖形化結構,所述第一圖形化結構具有第一圖形化開口,所述第一圖形化開口包括多個沿Y方向延伸的條狀圖形,所述第一光罩的中心與所述襯底中心重合時,所述第一區域與所述第二區域的交界線兩側的所述條狀圖形之間的距離大于其他相鄰兩個所述條狀圖形之間的距離;
第二光罩,用于形成第二圖形化結構,所述第二圖形化結構用于覆蓋所述第二區域的第一圖形化開口,且具有第二圖形化開口,所述第二圖形化開口用于暴露所述第一區域內的所述第一圖形化開口,所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心與所述襯底中心重合時,所述第二圖形化結構的開口邊緣與第一區域內的與其相鄰的所述條狀圖形之間的距離大于第一預設距離,第一預設距離為使得第一種不良現象的發生概率控制在工藝需求范圍內的距離,第一種不良現象為第二光罩在X方向上具有偏移時所導致的圖形化掩膜缺失,其中,X方向與Y方向相互垂直;
第三光罩,用于形成第三圖形化結構,所述第一區域包括第一子區域與第二子區域,在所述條狀圖形的延伸方向上,所述第二子區域位于所述第一子區域的兩側,所述第三圖形化結構形成在所述第一子區域中,用于覆蓋所述第一子區域內的所述第一圖形化開口。
2.根據權利要求1所述的光罩組件,其特征在于,所述第二光罩的中心以及所述第一光罩的中心與所述襯底中心重合時,所述第二圖形化結構的開口邊緣與其兩側相鄰的條狀圖形之間的距離相同。
3.根據權利要求1或2所述的光罩組件,其特征在于,所述第二光罩的中心以及所述第三光罩的中心與所述襯底中心重合時,在所述條狀圖形的延伸方向上,所述第二圖形化結構的開口邊緣與所述第三圖形化結構之間的距離小于第二預設距離,第二預設距離為使得第二種不良現象的發生概率控制在工藝需求范圍內的距離,第二種不良現象為第二光罩在Y方向具有偏移時所導致的圖形化掩膜缺失。
4.根據權利要求1所述的光罩組件,其特征在于,所述第一光罩包括多個第一遮擋部,所述多個第一遮擋部限定出所述第一光罩的透光區域,且所述第一光罩用于通過多重圖形形成方法在所述襯底上形成第一圖形化結構,所述條狀圖形在所述襯底上的正投影位于所述第一遮擋部在所述襯底上的正投影兩側。
5.根據權利要求4所述的光罩組件,其特征在于,所述多個第一遮擋部包括第一子部與第二子部,所述第一光罩的中心與所述襯底中心重合時,所述第一子部位于所述第一區域內,所述第二子部位于所述第二區域內,相鄰的所述第一子部與所述第二子部之間的距離大于各所述第一子部之間的距離,并大于各所述第二子部之間的距離。
6.根據權利要求4所述的光罩組件,其特征在于,所述多個第一遮擋部包括第三子部與第四子部,所述第三子部位于所述第一區域以及第二區域內,沿與所述條狀圖形延伸方向垂直的方向上,所述第四子部跨域于所述第一區域與所述第二區域之間,所述第四子部在該方向的長度大于所述第四子部與與其相鄰的所述第三子部之間的距離。
7.根據權利要求4所述的光罩組件,其特征在于,所述第一圖形化開口為環狀,且在所述襯底上的正投影環繞所述第一遮擋部在所述襯底上的正投影,環狀的所述第一圖形化開口包括平行且相對的兩個所述條狀圖形。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





