[發(fā)明專利]用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒、制作工藝及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110294841.8 | 申請日: | 2021-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN113173594A | 公開(公告)日: | 2021-07-27 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李群;夏斌元;熊忠華;任忠國;許清華;褚勝男 | 申請(專利權)人: | 中國工程物理研究院材料研究所 |
| 主分類號: | C01G15/00 | 分類號: | C01G15/00;C09K11/77;C30B11/10;C30B28/06;C30B29/28;G01T1/167;G01T1/202 |
| 代理公司: | 成都九鼎天元知識產(chǎn)權代理有限公司 51214 | 代理人: | 徐靜 |
| 地址: | 621700 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 液態(tài) 流出物 水平 放射性 核素 連續(xù) 測量 gagg 閃爍 晶體 顆粒 制作 工藝 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒、制作工藝及制作裝置;所述GAGG閃爍晶體顆粒為圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒;所述制作工藝包括如下步驟:S1,采用機械方法對塊狀GAGG閃爍晶體進行粉碎和研磨,得到GAGG閃爍晶體粉體;S2,對所述GAGG閃爍晶體粉體進行加熱熔融,通過自身表面張力球化,得到圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒;所述制作裝置制作裝置,包括:噴槍、成珠爐和收集器;所述噴槍設置在成珠爐上方并使噴槍的噴口與成珠爐的內(nèi)部空間連通;所述收集器通過管道連接在成珠爐下方并與成珠爐的內(nèi)部空間連通。本發(fā)明規(guī)則的圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒之間縫隙均勻一致,能夠最大限度地提升裝置探測能力。
技術領域
本發(fā)明涉及放射性核素連續(xù)測量技術領域,具體而言,涉及一種用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒、制作工藝及制作裝置。
背景技術
目前主流的設計思路是利用固體閃爍體顆粒實現(xiàn)水中放射性核素的連續(xù)測量,通常將氟化鈣等不溶于水的閃爍體進行研磨,得到幾十至幾百微米(目前公認該粒徑范圍內(nèi)的效果最佳)的顆粒,隨后將顆粒裝入圓盤狀或圓管狀的透明容器中,在圓盤兩側(cè)或圓管管壁兩側(cè)耦合光電倍增管(PMT)進行符合測量。
現(xiàn)有的設計中,水中的放射性核素在閃爍體顆粒中沉積能量,通過激發(fā)-退激過程使閃爍體產(chǎn)生熒光,產(chǎn)生的熒光在容器內(nèi)部傳輸,到達兩側(cè)的熒光被PMT通過符合測量探測到。然而對于氟化鈣顆粒,經(jīng)過研磨得到的氟化鈣顆粒為不規(guī)則碎片狀,堆積狀態(tài)下氟化鈣顆粒之間的孔隙不均勻,一方面會導致液體流動阻力增大,另一方面液體中放射性核素想要到達氟化鈣顆粒并沉積能量,需要先穿過一定厚度的液體介質(zhì),在孔隙較大的區(qū)域,核素需要穿過更厚的介質(zhì),導致核素在液體中沉積的能量升高,在氟化鈣顆粒中沉積能量降低,從而影響裝置探測能力。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在提供一種用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒及其制作工藝,以解決固體閃爍顆粒間隙不均勻從而影響裝置探測能力的問題。
本發(fā)明提供的一種用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒,所述GAGG閃爍晶體顆粒為圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒。
作為優(yōu)選,所述圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒的粒徑為范圍為50~150μm。
本發(fā)明還提供一種用于液態(tài)流出物中低水平放射性核素連續(xù)測量的GAGG閃爍晶體顆粒的制作工藝,包括如下步驟:
S1,采用機械方法對塊狀GAGG閃爍晶體進行粉碎和研磨,得到GAGG閃爍晶體粉體;
S2,對所述GAGG閃爍晶體粉體進行加熱熔融,通過自身表面張力球化,得到圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒。
進一步的,步驟S2包括如下子步驟:
S21,采用噴槍將所述GAGG閃爍晶體粉體以及燃燒氣體、空氣和氧氣的混合氣體從成珠爐上方送入成珠爐;
S22,使燃燒氣體、空氣和氧氣的混合氣體在成珠爐中燃燒形成火焰;
S23,所述GAGG閃爍晶體粉體在高溫火焰下加熱熔融并融化為GAGG閃爍晶體液體;該GAGG閃爍晶體液體在成珠爐中通過自身表面張力球化,并在重力作用下的自然下落過程中急速冷卻后形成圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒;
S24,采用收集器收集步驟S23形成的圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒,并篩選出合適粒徑的圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒。
作為優(yōu)選,步驟S22中所述燃燒形成的火焰的溫度范圍為1500~2300℃。
作為優(yōu)選,所述GAGG閃爍晶體粉體的粒徑范圍為50~150μm。
作為優(yōu)選,步驟S24中所述合適粒徑的圓球狀GAGG閃爍晶體顆粒的粒徑為范圍為50~150μm。
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