[發明專利]氣化裝置、襯底處理裝置、清潔方法及半導體器件的制造方法

在審

• 申請號: 202110294265.7
• 申請日: 2021-03-18
• 公開（公告）號: CN113496918A
• 公開（公告）日: 2021-10-12
• 發明（設計）人: 李根;山崎裕久;壽崎健一
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 楊宏軍

1.氣化裝置，其具有：

液體容器，其貯存液體原料；

第1加熱部，其浸漬在貯存于所述液體容器的所述液體原料中，對所述液體原料進行加熱；

第2加熱部，其對所述液體容器進行加熱；

第1溫度傳感器，其浸漬在貯存于所述液體容器的所述液體原料中，對所述液體原料的溫度進行測定；

第2溫度傳感器，其對所述液體容器的溫度進行測定；以及

控制部，其構成為能夠基于由所述第1溫度傳感器測定的溫度對所述第1加熱部進行控制，并基于由所述第2溫度傳感器測定的溫度對所述第2加熱部進行控制。

2.根據權利要求1所述的氣化裝置，其中，所述控制部構成為能夠控制所述第1加熱部以使由所述第1溫度傳感器測定的溫度達到規定的第1溫度，并控制所述第2加熱部以使由所述第2溫度傳感器測定的溫度達到規定的第2溫度。

3.根據權利要求2所述的氣化裝置，其中，所述第2溫度被設定為與所述第1溫度對應的預先設定的值。

4.根據權利要求2或3所述的氣化裝置，其中，所述第2溫度被設定為高于所述第1溫度的值。

5.根據權利要求2所述的氣化裝置，其中，將所述液體容器的截面積設為Acm²、將產生氣體流量設為Qslm，設定所述第1溫度及所述第2溫度以使得Q/A＞2％。

6.根據權利要求1所述的氣化裝置，其中，所述第1加熱部至少由第1內部加熱器和第2內部加熱器構成，所述第1溫度傳感器至少由第1內部傳感器和第2內部傳感器構成。

7.根據權利要求6所述的氣化裝置，其中，所述控制部構成為基于由所述第1內部傳感器測定的溫度來控制所述第1內部加熱器，并基于由所述第2內部傳感器測定的溫度來控制所述第2內部加熱器。

8.根據權利要求6或7所述的氣化裝置，其中，所述控制部構成為控制所述第1內部加熱器及所述第2內部加熱器，以使得由所述第1內部傳感器及所述第2內部傳感器測定的溫度達到規定的第1溫度。

9.根據權利要求6或7所述的氣化裝置，其中，所述控制部構成為在由所述第1內部傳感器及所述第2內部傳感器中的至少一者測定的溫度超過規定的第3溫度的情況下，停止向所述第1內部加熱器及所述第2內部加熱器的電力供給。

10.根據權利要求1所述的氣化裝置，其中，貯存于所述液體容器的液體為清潔氣體的液體原料。

11.襯底處理裝置，其具有處理室、氣化裝置、氣體供給系統及控制部，

所述處理室對襯底進行處理；

所述氣化裝置具備：

液體容器，其貯存液體原料，

第1加熱部，其浸漬在貯存于所述液體容器的所述液體原料中，對所述液體原料進行加熱，

第2加熱部，其對所述液體容器進行加熱，

第1溫度傳感器，其浸漬在貯存于所述液體容器的所述液體原料中，對所述液體原料的溫度進行測定，以及

第2溫度傳感器，其對所述液體容器的溫度進行測定；

所述氣體供給系統向所述處理室供給通過所述氣化裝置將所述液體原料氣化而得的氣體；

所述控制部構成為能夠基于由所述第1溫度傳感器測定的溫度對所述第1加熱部進行控制，并基于由所述第2溫度傳感器測定的溫度對所述第2加熱部進行控制。

12.根據權利要求11所述的襯底處理裝置，其中，所述控制部構成為能夠對所述氣體供給系統進行控制，以將通過所述氣化裝置將所述液體原料氣化而得的氣體的供給和停止的循環執行多次。