[發明專利]一種基于TiB晶須的鈦或鈦合金的梯度滲層及其制備方法有效
| 申請號： | 202110293937.2 | 申請日： | 2021-03-19 |
| 公開（公告）號： | CN113046683B | 公開（公告）日： | 2022-03-01 |
| 發明（設計）人： | 段永華;盧耀平;王昕宇;吳影;王勇;曲德藝 | 申請（專利權）人： | 昆明理工大學 |
| 主分類號： | C23C8/68 | 分類號： | C23C8/68;C23C10/48;C23C8/02 |
| 代理公司： | 天津煜博知識產權代理事務所(普通合伙) 12246 | 代理人： | 朱維 |
| 地址： | 650093 云*** | 國省代碼： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 tib 鈦合金 梯度 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于TiB晶須的鈦或鈦合金的梯度滲層，其特征在于：梯度滲層從表面至基體依次包括TiB2外層、TiB晶須-TiAl3次外層、TiAl3層和擴散層，梯度滲層的厚度不小于100μm，表面硬度不小于2200HV，表面層與基體層的硬度差不大于500HV。
2.權利要求1所述基于TiB晶須的鈦或鈦合金的梯度滲層的制備方法，其特征在于，具體步驟如下：
(1)在鈦或鈦合金基體中制備TiB晶須；
(2)基于TiB晶須進行滲鋁，依次生成TiB晶須-TiAl3次外層、TiAl3層和擴散層；
(3)表面滲硼生成TiB2外層。
3.根據權利要求2所述基于TiB晶須的鈦或鈦合金的梯度滲層的制備方法，其特征在于：TiB晶須長度為40～60μm，TiB晶須-TiAl3次外層厚度為40～60μm，TiAl3層厚度為30～50μm，擴散層厚度為5～10μm，TiB2外層厚度為5～20μm。
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