[發明專利]用于選擇性廢氣處置的方法及系統

在審

• 申請號: 202110289563.7
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN113384979A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 夕巴斯汀·哈柏特斯·舒茲;湯瑪斯·沛爾瑙;烏瑞奇·華克
• 申請（專利權）人: 商先創國際股份有限公司
• 主分類號: B01D49/00
• 分類號: B01D49/00;B01D53/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 楊貝貝;臧建明

本發明涉及一種用于選擇性廢氣處置的系統及方法。所述方法包括：基于相應的所連接的泵單元的出口處的至少預期的廢氣成分而各別地控制多個閥單元，以將廢氣選擇性地引導到第一氣體凈化器、第二氣體凈化器和/或可選的另外的氣體凈化器，以用于在相應的氣體凈化器中處置廢氣。

技術領域

本發明涉及用于來自具有真空泵的多個工藝單元的選擇性廢氣處置及處理的方法及系統。依據這些工藝單元的相應的處理條件，針對大氣氣體和/或待還原及待氧化的廢氣和/或相應的氣體混合物來具體闡述工藝及系統。

背景技術

在技術上，已知各種各樣的應用，其中所生成的廢氣對環境具有潛在危害，且因此所述廢氣在被排放到環境中之前需要進行處置。存在各種處置工藝，所述處置工藝包括以下中的一者或多者僅作為實例：稀釋(dilution)、使用液體的氣體凈化、引入反應性組分、熱分解、還原、氧化、催化工藝或過濾。所使用的工藝取決于所生成的廢氣，其中在單個場地(site)處使用不同的工藝。在下文中，用于施行此類工藝的裝置被稱為氣體凈化器(gasscrubber)，而不論處置工藝如何。

用于廢氣處理的系統是已知的，例如，來自用于光伏或半導體應用的半導體處理的系統。生成待處置廢氣的常見半導體處理方法是使用等離子體增強型化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition，PECVD)的層形成。可依據所形成的層而生成需要不同處置的不同廢氣。

在大多數情形中，使用直接位于工藝單元的下游的局部氣體凈化器以及來自不同工藝單元的廢氣所到達的一個中心氣體凈化器在一個場地處進行廢氣處置。局部氣體凈化器直接位于廢氣的起始點處作為所謂的使用點(point-of-use)氣體凈化器或POU氣體凈化器，且通常是針對所使用的工藝而專門設計并且針對相關聯的工藝單元中生成的廢氣量而確定大小。局部氣體凈化器通常被分派到單個工藝單元，且來自工藝單元的所有廢氣首先通過局部氣體凈化器，之后所述所有廢氣被饋送到中心氣體凈化器。在局部氣體凈化器中使用的處置工藝以如下方式進行設計：來自對應的工藝單元的所有廢氣可通過在局部氣體凈化器中與中心氣體凈化器中的組合處置而變得無害。如果預期的廢氣無法被中心氣體凈化器充分處置，則一般僅使用局部氣體凈化器。尤其是在實行多階段工藝的工藝單元的情形中，可以交錯的方式產生不同的廢氣，此可能需要不同的處置工藝，所述不同的處置工藝一方面由局部氣體凈化器提供且另一方面由中心氣體凈化器提供。由于現有的組合，所有廢氣通過所述兩個氣體凈化器，此使得處置安全，但可能會導致高負擔的努力及成本。

中心氣體凈化器在場地上位于合適的位置中且通常被設計用于一般的處置，所述一般的處置可處置各種各樣的廢氣。局部氣體凈化器與中心氣體凈化器常常組合起來實行預處置(pre-treatment)及后處置(post-treatment)。

舉例來說，對于氨氣和/或甲烷組分的中和，使用局部氣體凈化器是可取的。此種中和工藝不僅建立起來復雜，而且同樣與高成本及高安全要求相關聯。

由于通常情況下并非一個場地處的所有工藝單元均產生相應的廢氣，因此在中心氣體凈化器中建立此種工藝(在所述工藝中，場地的所有廢氣聚集在一起且因此經受相應的工藝)將過于復雜且成本密集。通過首先在局部氣體凈化器處對來自需要特定分離工藝的工藝單元的所有廢氣進行處置，可簡化中心氣體凈化器處的程序。

然而，各別局部氣體凈化器的維護及間歇性高負載周期可能會導致問題。在維護周期期間，所連接的工藝單元可能不會進行操作且一些處置工藝也可能具有廢氣容積和/或成分波動的問題。另外，可能僅針對間歇性地出現、可能以低廢氣容積出現的廢氣而需要特殊工藝，但必須針對工藝序列期間出現的所有廢氣容積來設計所述處置。廢氣作為氣體混合物首先在共用管線中被路由穿過POU氣體凈化器，且接著被路由到中心氣體凈化器，此也會能會出現問題。尤其是在工藝單元的初始泵抽(例如，從外界壓力泵抽到工藝壓力)期間，更大量的外界空氣也通過管線被泵抽到相應的氣體凈化器。因此，所涉及的氣體凈化器通?？捎肋h不被關閉。固體沉積物(例如細微灰塵)的排出工藝(blow-out process)或清潔工藝變得更困難。