[發明專利]半導體裝置與其形成方法

在審

• 申請號: 202110285717.5
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113451390A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發明（設計）人: 林士堯;邱志忠;高魁佑;陳振平;林志翰
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一半導體鰭狀物于一基板上；

形成一多通道鰭狀物于該基板上，且該多通道鰭狀物包括一犧牲材料；

自該多通道鰭狀物移除該犧牲材料，而不自該半導體鰭狀物移除材料；

在移除該犧牲材料之后，自該多通道鰭狀物形成多個納米結構的一堆疊；以及

形成一柵極于多個所述納米結構的該堆疊與該半導體鰭狀物上。

2.如權利要求1所述的半導體裝置的形成方法，還包括：

形成一第一厚度的一第一介電層以圍繞多個所述納米結構的該堆疊的一第一納米結構；以及

形成一第二厚度的該第一介電層以圍繞多個所述納米結構的該堆疊的一第二納米結構，且該第二納米結構為多個所述納米結構的該堆疊的一最頂部的納米結構，而該第二厚度大于該第一厚度。

3.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其中形成該第一介電層的步驟包括對多個所述納米結構的該堆疊進行一界面處理。

4.如權利要求2所述的半導體裝置的形成方法，其中該第一介電層為一原生氧化物。

5.如權利要求4所述的半導體裝置的形成方法，還包括形成一第三厚度的一第二介電層以圍繞該第一介電層，且該第一介電層圍繞該最頂部的納米結構，而該第二介電層與該原生氧化物不同。

6.一種半導體裝置的形成方法，包括：

形成一第一鰭狀物于一基板上；

形成一第二鰭狀物于該基板上，且該第二鰭狀物包括多個半導體材料的一多層堆疊以及一犧牲層于該多層堆疊上；

移除該犧牲層；

在移除該犧牲層之后，自該多層堆疊形成多個納米結構；以及

形成一柵極于該第一鰭狀物與多個所述納米結構上，而該柵極的上表面與該第一鰭狀物隔有第一距離，并與多個所述納米結構的一最頂部納米結構隔有一第二距離，且該第二距離大于該第一距離。

7.如權利要求6所述的半導體裝置的形成方法，還包括形成一第一介電層于多個所述納米結構上，該第一介電層在多個所述納米結構的一第一納米結構的一第一界面具有一第一厚度，并在多個所述納米結構的該最頂部納米結構的一第二界面具有一第二厚度，且該第二厚度大于該第一厚度。

8.如權利要求7所述的半導體裝置的形成方法，其中形成該第一介電層的步驟還包括采用一第一選擇性處理。

9.一種半導體裝置，包括：

一半導體鰭狀物，位于一基板上；

一多通道裝置，位于該基板上；

一第一柵極介電層，包含一第一界面以圍繞該多通道裝置的一最頂部納米結構，以及一第二界面以圍繞該多通道裝置的另一納米結構，且該第一柵極介電層在該第一界面的一第一厚度大于該第一柵極介電層在該第二界面的一第二厚度；以及

一柵極，位于該第一界面與該第二界面處的該第一柵極介電層上并圍繞該第一界面與該第二界面處的該第一柵極介電層，且該柵極在該半導體鰭狀物上的一第一高度小于該柵極在該最頂部納米結構上的一第二高度。

10.如權利要求9所述的半導體裝置，其中該第一柵極介電層包括一第一原生氧化物層于該第一界面。