[發明專利]顯示面板殘影風險評估方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202110284315.3
• 申請日: 2021-03-17
• 公開（公告）號: CN113075806A
• 公開（公告）日: 2021-07-06
• 發明（設計）人: 羅國仁
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/13
• 分類號: G02F1/13
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 張曉薇

1.一種顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，包括：

提供一顯示面板，所述顯示面板包括液晶；

檢測所述液晶的介電系數；

在所述液晶的介電系數小于或等于介電閾值時，判定所述顯示面板存在殘影風險。

2.根據權利要求1所述的顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介電系數小于或等于介電閾值時，判定所述顯示面板存在殘影風險的步驟，包括：

當所述液晶的介電系數小于或等于負3時；

判定所述顯示面板存在殘影風險。

3.根據權利要求1所述的顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介電系數小于或等于介電閾值時，判定所述顯示面板存在殘影風險的步驟，還包括：

當所述液晶的介電系數大于負3時；

判定所述顯示面板無殘影風險。

4.根據權利要求1所述的顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，所述在所述液晶的介電系數小于或等于介電閾值時，判定所述顯示面板存在殘影風險的步驟，還包括：

當所述液晶的介電系數小于或等于介電閾值時；

判定所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的高極性分子，所述通式包括：

其中，n為大于或等于1的整數；

判定所述顯示面板存在殘影風險。

5.根據權利要求1所述的顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，所述顯示面板還包括第一基板和第二基板，所述液晶位于所述第一基板和所述第二基板之間；

所述檢測所述液晶的介電系數的步驟，包括：

檢測所述顯示面板未設置所述液晶時，所述第一基板與所述第二基板之間的空盒電容；

檢測所述液晶在未偏轉狀態時，所述第一基板與所述第二基板之間的第一介質電容；

檢測所述液晶在偏轉狀態時，所述第一基板與所述第二基板之間的第二介質電容；

根據所述第一介質電容與所述空盒電容的比值，確定第一介電參量；

根據所述第二介質電容與所述空盒電容的比值，確定第二介電參量；

根據所述第二介電參量與所述第一介電參量的差值，確定所述介電系數。

6.一種顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，包括：

提供一顯示面板，所述顯示面板包括液晶；

檢測所述液晶的成分；

在所述液晶中存在具有下列通式的至少其中之一的分子時，判定所述顯示面板存在殘影風險，所述通式包括：

其中，n為大于或等于1的整數。

7.根據權利要求6所述的顯示面板殘影風險評估方法，其特征在于，所述檢測所述液晶的成分的步驟，包括：

在預設溫度下，使所述液晶蒸發，形成液晶氣體；

通過質譜儀分析所述液晶氣體的成分；

通過所述液晶氣體的成分，確定所述液晶的成分。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括：

第一基板；

第二基板，與所述第一基板相對設置；

液晶，設置于所述第一基板與所述第二基板之間，所述液晶的介電系數大于介電閾值。

9.根據權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述介電閾值為負3。

10.根據權利要求8所述的顯示面板，其特征在于，所述第一基板包括薄膜晶體管陣列層，所述第二基板包括彩色濾光層；

所述顯示面板還包括設置于所述第一基板的遠離所述液晶層一側的背光模組。