[發明專利]陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置在審
| 申請號: | 202110278051.0 | 申請日: | 2021-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN113053981A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發明(設計)人: | 徐元杰;龍躍 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人: | 張筱寧;王存霞 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 制作方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
本申請實施例提供了一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置。該陣列基板的顯示區包括攝像區,該陣列基板包括襯底、驅動電路結構和陽極層;驅動電路結構包括用于形成透明引線的至少一個透明導電層以及用于構成多個像素驅動電路的有源層和多個金屬層,透明導電層與有源層或金屬層疊層且接觸;陽極層包括多個陽極,位于攝像區的陽極通過透明引線與相應的像素驅動電路電連接。本實施例通過將用于實現攝像區的陽極與相應的像素驅動電路電連接的透明引線與有源層和/或金屬層疊層且接觸,從而使透明引線與有源層和/或金屬層能夠采用同一掩膜板進行圖形化處理,能夠減少掩膜板的數量,從而降低生產成本。
技術領域
本申請涉及顯示技術領域,具體而言,本申請涉及一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置。
背景技術
屏下攝像頭技術是實現全面屏的關鍵技術之一,目前的一種屏下攝像頭的實現方式是將設置有屏下攝像頭的區域的透光效果進行提升,以使更多的環境光能夠被屏下攝像頭采集到而獲得良好的成像效果。
但在高PPI(分辨率)的要求下,為了保證攝像區的透光效果,通常會采用多層透明導電層來實現攝像區的陽極與像素驅動電路的電連接,這勢必會增加多道mask,不僅會增加生產成本,而且也會造成工藝時間的延長。
發明內容
本申請針對現有方式的缺點,提出一種陣列基板、其制作方法、顯示面板及顯示裝置,能夠減少mask的數量,從而降低生產成本以及縮短工藝時長。
第一個方面,本申請實施例提供了一種陣列基板,包括顯示區,所述顯示區包括攝像區,所述陣列基板包括:
襯底;
驅動電路結構,包括用于形成透明引線的至少一個透明導電層以及用于構成多個像素驅動電路的有源層和多個金屬層,所述透明導電層與所述有源層疊層且接觸,和/或一個所述透明導電層與一個所述金屬層疊層且接觸;
陽極層,位于驅動電路結構遠離所述襯底的一側,包括多個陽極,其中,位于所述攝像區的所述陽極通過所述透明引線與相應的所述像素驅動電路電連接。
可選地,多個所述金屬層包括:位于所述有源層遠離所述襯底一側的第一柵極層、位于所述第一柵極層遠離所述有源層一側的第二柵極層、位于所述第二柵極層遠離所述第一柵極層一側的第一源漏電極層以及位于所述第一源漏電極層遠離所述第二柵極層一側的第二源漏電極層;
所述驅動電路結構還包括:位于所述有源層與所述第一柵極層之間的第一絕緣層、位于所述第一柵極層與所述第二柵極層之間的第二絕緣層、位于所述第二柵極層和所述第一源漏電極層之間的第三絕緣層、位于所述第一源漏電極層和所述第二源漏電極層之間的第四絕緣層以及位于所述第二源漏電極層和所述陽極層之間的第五絕緣層。
可選地,所述像素驅動電路包括驅動晶體管,所述第一源漏電極層包括所述驅動晶體管的漏電極,位于所述攝像區的所述陽極通過所述透明引線與相應的所述像素驅動電路中的驅動晶體管的漏極電連接;
所述至少一個透明導電層包括:位于所述第一柵極層與所述第一絕緣層之間的第一透明導電層,和/或位于所述第二柵極層與所述第二絕緣層之間的第二透明導電層,和/或所述第二源漏電極層與所述第四絕緣層之間的第三透明導電層;
所述第一透明導電層包括第一透明引線,所述第二透明導電層包括第二透明引線,所述第三透明導電層包括第三透明引線;
所述透明引線包括所述第一透明引線、所述第二透明引線和所述第三透明引線中的一個或多個。
可選地,所述顯示區還包括常規顯示區,位于所述常規顯示區的陽極的面積大于位于所述攝像區的陽極的面積,所述像素驅動電路包括位于所述常規顯示區的多個第一像素驅動電路和位于所述攝像區的多個第二像素驅動電路;位于所述常規顯示區的每個陽極與一個所述第一像素驅動電路電連接,位于所述攝像區的陽極通過所述透明引線與一個所述第二像素驅動電路電連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





