[發明專利]一種熔接質量檢測方法及裝置

在審

• 申請號: 202110277137.1
• 申請日: 2021-03-15
• 公開（公告）號: CN113109444A
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 富陽
• 申請（專利權）人: 中山職業技術學院
• 主分類號: G01N29/06
• 分類號: G01N29/06;G01N29/26;G01N29/265;G01N29/24;G01N29/30;G01N29/44
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 肖軍

1.一種熔接質量檢測方法，其特征在于，所述方法包括：

獲取利用超聲波相控陣檢測裝置對熔接接頭進行檢測后生成的無損檢測圖像；

根據所述無損檢測圖像，識別出所述熔接接頭中熔接部的熔接面線以及所述熔接面線兩側的相變邊界；

根據所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的間距進行熔接質量分析，獲得質量分析結果。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述質量分析結果包括熔接參數缺陷；所述根據所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的間距進行熱熔質量分析，獲得質量分析結果，包括：

根據所述熔接面線與兩側的相變邊界，求得所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的相變間距；

若所述相變間距不屬于預設的間距范圍，則確定熔接參數缺陷；其中，當所述相變間距小于所述間距范圍對應的最小間距，所述熔接參數缺陷包括熔接溫度過低、熔接壓力過大以及熔接切換時間過長中的至少一種缺陷；當所述相變間距大于所述間距范圍對應的最大間距，所述熔接參數缺陷包括熔接溫度過高、熔接壓力過小以及熔接切換時間過短中的至少一種缺陷。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述熔接面線兩側的相變邊界包括第一相變邊界和第二相變邊界；所述根據所述熔接面線與兩側的相變邊界，求得所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的相變間距，包括：

在所述無損檢測圖像中，獲取所述熔接面線在所述熔接接頭的軸線方向上對應的第一豎直刻度、所述第一相變邊界在所述軸線方向上對應的第二豎直刻度，以及所述第二相變邊界在所述軸線方向上對應的第三豎直刻度；其中，所述軸線方向垂直于所述熔接面線；

根據所述第一豎直刻度與所述第二豎直刻度，求得所述熔接面線與所述第一相變邊界之間的第一刻度差值，以及根據所述第一豎直刻度與所述第三豎直刻度，求得所述熔接面線與所述第二相變邊界之間的第二刻度差值；

根據所述無損檢測圖像的刻度與實際尺寸的轉換關系，對所述第一刻度差值和第二刻度差值進行取值轉換，分別獲得所述熔接面線與所述第一相變邊界之間的第一相變間距，以及所述熔接面線與所述第二相變邊界之間的第二相變間距。

4.根據權利要求1至3任一項所述的方法，其特征在于，所述無損檢測圖像包括多張檢測圖像；所述根據所述無損檢測圖像，識別出所述熔接接頭中熱熔部的熔接面線以及所述熔接面線兩側的相變邊界，包括：

獲取所述超聲波相控陣檢測裝置獲得每張檢測圖像時采用的掃查位姿數據；

根據每張檢測圖像對應的掃查位姿數據，將每張檢測圖像中的數據點代入到參考坐標系，以在所述參考坐標系中生成接頭模型；

從所述接頭模型中識別出熔接部的熔接面線以及所述熔接面線兩側的相變邊界。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述質量分析結果包括熱熔參數缺陷；所述根據所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的間距進行熔接質量分析，獲得質量分析結果，包括：

根據所述熔接面線與兩側的相變邊界之間的間距，從所述接頭模型中確定出熔接部模型；

根據所述熔接接頭的結構尺寸特征，調用所述熔接接頭匹配的標準試塊模型，所述標準試塊模型用于對所述熔接接頭無損時的熔接部建模；

利用所述標準試塊模型與所述熔接部模型進行比對；

若所述標準試塊模型與所述熔接部模型之間的體積差大于預設體積，則確定熔接參數缺陷。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述從所述接頭模型中確定出熔接部模型之后，所述方法還包括：

利用不同缺陷類型對應的模擬反射體對所述熔接部模型中的數據點進行擬合，獲得擬合成功的目標反射體；

根據所述目標反射體對應的缺陷類型，確定所述熔接部存在的目標缺陷類型，以及根據所述目標反射體的尺寸或數量特征，確定所述熔接部中目標缺陷類型對應的缺陷大?。?/p>

結合所述目標缺陷類型以及所述目標缺陷類型對應的缺陷大小進行熔接質量分析，獲得對所述熔接部的內部缺陷定量結果。