[發明專利]一種具有高探測率和低暗電流的全聚合物光探測器有效
| 申請號: | 202110276556.3 | 申請日: | 2021-03-15 |
| 公開(公告)號: | CN113140678B | 公開(公告)日: | 2023-02-14 |
| 發明(設計)人: | 段春暉;劉濤;吳寶奇;曹鏞 | 申請(專利權)人: | 華南理工大學 |
| 主分類號: | H10K30/00 | 分類號: | H10K30/00;H10K71/12;H10K71/40;H10K85/10;H10K85/40 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕強 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 探測 電流 聚合物 探測器 | ||
本發明公開了一種具有高探測率和低暗電流的全聚合物光探測器,屬于有機光電器件領域。該探測器的器件結構從下到上依此為襯底、導電陽極、空穴傳輸層、光活性層、電子傳輸層和金屬陰極,所述的光活性層是由聚合物給體和特定的聚合物受體PNDI?DTBT共混形成的體異質結。在合理篩選聚合物給體和活性層形貌優化的協同作用下,光活性層具有合適的相分離尺度和優勢的垂直相分布,在?0.1V的工作電壓下,探測器獲得了低于10?10A cm?2的暗電流密度和超過1014Jones的比探測率,實現了一種高探測率、低暗電流的全聚合物光探測器。
技術領域
本發明屬于有機光電探測器技術領域,具體涉及一種具有高探測率和低暗電流的全聚合物光探測器。
背景技術
近年來,隨著有機半導體材料和器件的迅猛發展,有機光電探測器(OPDs)逐漸成為了光探測器領域的研究熱點。與傳統的已商業化的無機光電探測器相比,有機光電探測器具有質輕、柔性、可在室溫下工作、可溶液加工、可制備大面積器件等優點。而且,有機半導體的來源廣泛、種類繁多、吸收光譜可調使得探測器的發展空間得到了大幅度的擴展。因此,有機光電探測器在健康監測、人工視覺、光通信、夜視、生物醫學成像、圖像傳感器等領域有著廣泛的應用前景(Adv.Mater.2020,32,1902045)。
作為探測器的核心性能參數,比探測率D*表示了探測器件對光的探測能力。在只考慮散射噪聲的條件下,比探測率可以由以下公式計算得到:
從上式可以看出,如果想獲得一個高探測性能的有機光探測器,需要獲得在特定波長λ下實現較高的外量子效率EQE和較低的暗電流密度Jd,以達到高的比探測率。對于非倍增型的光探測器而言,EQE的變化范圍有限,均小于100%。然而,不同光活性層體系的暗電流卻相差懸殊,有的差別達到了幾個數量級。因此,從提高比探測率的角度上,顯著降低暗電流是實現高性能OPDs的一種有效策略。
為了降低OPDs的暗電流,不同研究人員提出了不同的解決方案。Paul Meredith等人將基于PCDTBT:PC71BM的OPDs活性層厚度從100nm增加到700nm后,暗電流從60nA急劇下降到0.2nA,最終器件的比探測率顯著提高至1013Jones的數量級(LaserPhotonics Reviews,2015,8,924)。同樣地,應磊等人通過將活性層厚度從110nm增加到300nm,-0.1V下的Jd從5.38×10-8A cm-2降到了4.85×10-10A cm-2,降低幅度達2個數量級,成功實現了2.61×1013Jones的基于NT40:N2200的高性能OPDs(ACS Appl.Mater.Interfaces 2019,11,14208)。此外,除了適當增加活性層的厚度,合適的垂直相分離也能降低負偏壓下的電荷注入,抑制OPDs的暗電流。梁永曄等人在聚合物PBT(TH)和PBD(TH)的側鏈上引入EDOT單元,設計合成了PBT(EDOT)和PBD(EDOT)兩種聚合物,分別與PC61BM和PC71BM搭配制備OPDs,實驗結果表明EDOT的引入增加了聚合物與下層空穴傳輸層PEDOT:PSS之間的相互作用,形成了有利的垂直相分離,在PEDOT:PSS表面附近形成聚合物富集層,因此暗電流減少了約2個數量級,相應的探測器實現了106~107的電流開關比和約1013Jones的比探測率(Adv.Mater.2015,27,6496)。
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