[發明專利]封裝結構

在審

• 申請號: 202110271380.2
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN114267645A
• 公開（公告）日: 2022-04-01
• 發明（設計）人: 葉書伸;汪金華;林昱圣;林柏堯;鄭心圃
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/10;H01L21/52
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

一種封裝結構包括線路襯底、半導體封裝、第一環結構及第二環結構。半導體封裝設置在線路襯底上且電連接到線路襯底。第一環結構貼合到線路襯底且環繞半導體封裝，其中第一環結構包括中心開口及從中心開口的角落延伸出的多個角落開口，半導體封裝位于中心開口中，且所述多個角落開口環繞半導體封裝的角落。

技術領域

本公開實施例是有關一種封裝結構及制作所述封裝結構的方法。

背景技術

用于各種電子應用(例如，手機及其他移動電子設備)中的半導體器件及集成電路通常制造在單個半導體晶片上。可在晶片級上對晶片的管芯進行處理并將晶片的管芯與其他半導體器件或管芯封裝在一起，且已開發各種技術來進行晶片級封裝。

發明內容

本公開實施例提供一種封裝結構包括線路襯底、半導體封裝及第一環結構。所述半導體封裝設置在所述線路襯底上且電連接到所述線路襯底。所述第一環結構貼合到所述線路襯底且環繞所述半導體封裝，其中所述第一環結構包括中心開口及從所述中心開口的角落延伸出的多個角落開口，所述半導體封裝位于所述中心開口中，且所述多個角落開口環繞所述半導體封裝的角落。

本公開實施例提供一種封裝結構包括線路襯底、中介層結構、第一半導體管芯及多個第二半導體管芯、絕緣包封體、第一加強環及第二加強環。所述中介層結構設置在所述線路襯底上且電連接到所述線路襯底。所述第一半導體管芯及所述第二半導體管芯設置在所述中介層結構的背側表面上且電連接到所述中介層結構。所述絕緣包封體設置在所述中介層結構的所述背側表面上且環繞所述第一半導體管芯及所述多個第二半導體管芯。所述第一加強環及所述第二加強環貼合到所述線路襯底，其中所述第一加強環位于所述線路襯底與所述第二加強環的中間，且所述中介層結構、所述第一半導體管芯及所述多個第二半導體管芯被所述第一加強環及所述第二加強環包圍。所述第一加強結構包括框架部分及從所述框架部分的內表面朝所述中介層結構延伸出的多個突出部，且所述多個突出部中的每一者彼此隔開。

本公開實施例提供一種包括半導體封裝及環結構的封裝結構。所述半導體封裝設置在襯底上。所述環結構設置在所述襯底上且環繞所述半導體封裝，其中當所述半導體封裝的第一側壁到所述環結構的內側壁的最小距離為d3、所述半導體封裝的第二側壁到所述環結構的內側壁的最小距離為d4時，則從所述半導體封裝的角落到所述環結構的內角落的最大距離d5滿足以下關系式：d5√((d3)²+(d4)²)，且所述第一側壁垂直于所述第二側壁。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最好地理解本公開的各個方面。應注意，根據本行業中的標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為論述的清晰起見，可任意增大或減小各種關鍵特征的尺寸。

圖1A到圖1I是根據本公開的一些示例性實施例的制作半導體封裝的方法中的各個階段的示意性俯視圖及剖視圖。

圖2是根據本公開的一些其他示例性實施例的半導體封裝的示意性剖視圖。

圖3A到圖3D是根據本公開的一些示例性實施例的制作封裝結構的方法中的各個階段的示意性俯視圖及剖視圖。

圖4到圖8是根據本公開的各種實施例的第一環結構的俯視圖。

圖9是根據本公開的一些示例性實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

圖10是根據本公開的一些其他示例性實施例的封裝結構的示意性剖視圖。

[符號的說明]

21、22：半導體管芯

21S、22S、114b：背側表面

100：中介層結構/中介層

100’：中介層結構

101A、116a：介電層