[發明專利]溝槽的形成方法

在審

• 申請號: 202110271228.4
• 申請日: 2021-03-12
• 公開（公告）號: CN115084002A
• 公開（公告）日: 2022-09-20
• 發明（設計）人: 崔基雄;高建峰;孔真真;劉衛兵;王桂磊
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;真芯（北京）半導體有限責任公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/308;H01L27/108
• 代理公司: 北京辰權知識產權代理有限公司 11619
• 代理人: 王志紅

1.一種溝槽的形成方法，其特征在于，包括以下步驟：

在半導體襯底上層疊設置模氧化層；

在所述模氧化層上形成用于刻蝕的硬掩模層，所述硬掩模層包括SiGe或經退火熱處理的非晶硅；

形成溝槽。

2.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述形成SiGe硬掩模層的溫度為400-450℃，壓力為0.3-1.0托。

3.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述SiGe硬掩模層以化學氣相沉積的方式形成在所述模氧化層上。

4.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，形成SiGe硬掩模層的Ge源氣體選自GeH₄或Ge₂H₆。

5.根據權利要求1-4任一項所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述SiGe硬掩模層為摻雜C的SiGe硬掩模層。

6.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述退火熱處理的步驟包括溫度為530-620℃，通入2-20L的N₂，處理10-60min。

7.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，還包括以下步驟：

所述模氧化層中或上面形成至少一層支撐層。

8.根據權利要求7所述的溝槽的形成方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在SiGe硬掩模層或非晶硅硬掩模層與所述模氧化層之間形成氧化物掩模層。

9.根據權利要求8所述的溝槽的形成方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在SiGe硬掩模層或非晶硅硬掩模層上形成圖案化的光刻膠層。

10.根據權利要求1所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述溝槽為電容器溝槽。

11.根據權利要求10所述的溝槽的形成方法，其特征在于，所述電容器為DRAM、閃存或邏輯器件的部件。