[發(fā)明專利]一種字線的填充空隙率的確定方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202110270847.1 | 申請日: | 2021-03-12 |
| 公開(公告)號: | CN113097083A | 公開(公告)日: | 2021-07-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李國梁;李漪;張笑;鄭合鳳;魏強民 | 申請(專利權(quán))人: | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司: | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人: | 劉鶴;張穎玲 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 填充 空隙 確定 方法 | ||
1.一種字線填充空隙率的確定方法,其特征在于,包括:
提供待確定結(jié)構(gòu),所述待確定結(jié)構(gòu)包括字線,所述字線包括字線殼體和位于所述字線殼體內(nèi)的空隙;
分別確定所述空隙的高度值h和所述字線的高度值H;
基于所述空隙的高度值h和所述字線的高度值H,確定所述字線的填充空隙率k。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述基于所述空隙的高度值h和所述字線的高度值H,確定所述字線的填充空隙率k,包括:
通過以下公式計算得到所述字線的填充空隙率k:
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述確定所述字線的高度值H,包括:
制備第一樣品,所述第一樣品包括至少一層所述字線的垂直截面,所述字線的垂直截面包括所述空隙的垂直截面和圍繞所述空隙的垂直截面的所述字線殼體的垂直截面;
測量所述第一樣品中的所述字線的垂直截面的高度,將測量得到的所述字線的垂直截面的高度值作為所述字線的高度值H。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述確定所述空隙的高度值h,包括:
測量所述第一樣品中的所述空隙的垂直截面的高度,將測量得到的所述空隙的垂直截面的高度值作為所述空隙的高度值h。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述測量所述第一樣品中的所述字線的垂直截面的高度,包括:
測量至少兩層所述字線的垂直截面的高度,將測量得到的至少兩層所述字線的垂直截面的高度的平均值作為所述字線的高度值H。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于,所述測量所述第一樣品中的所述空隙的垂直截面的高度,包括:
測量至少兩層所述空隙的垂直截面的高度,將測量得到的至少兩層所述空隙的垂直截面的高度的平均值作為所述空隙的高度值h。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的方法,其特征在于,所述確定所述空隙的高度值h,包括:
制備第二樣品,所述第二樣品包括至少一層字線,基于所述第二樣品測量所述字線殼體的厚度,得到所述字線殼體的厚度值w,將所述字線的高度值H與兩倍的所述字線殼體的厚度值w之差,確定為所述空隙的高度值h。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二樣品測量所述字線殼體的厚度,得到所述字線殼體的厚度值w,包括:
通過透射電子顯微鏡(TEM)沿垂直于所述字線的方向測量所述字線殼體的厚度,將測量所得的厚度值作為所述字線殼體的厚度w。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,所述基于所述第二樣品測量所述字線殼體的厚度,得到所述字線殼體的厚度值w,包括:
測量至少兩個不同位置處的所述字線殼體的厚度,將測量得到的所述至少兩個不同位置處的所述字線殼體的厚度值的平均值作為所述字線殼體的厚度值w。
10.根據(jù)權(quán)利要求7-9中任一項所述的方法,其特征在于,所述第二樣品包括一層字線。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項所述的方法,其特征在于,確定所述字線的高度值H,包括:
以工藝預設(shè)的字線高度預設(shè)值作為所述字線的高度值H。
12.一種三維存儲器中字線填充空隙率的確定方法,其特征在于,包括權(quán)利要求1-11中任一項所述的字線填充空隙率的確定方法。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





