[發明專利]一種阻變存儲器及其制備方法有效
| 申請號： | 202110266480.6 | 申請日： | 2021-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN112909167B | 公開（公告）日： | 2023-04-07 |
| 發明（設計）人： | 高建峰;項金娟;劉衛兵;楊濤;李俊峰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院微電子研究所 |
| 主分類號： | H10N70/20 | 分類號： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京天達知識產權代理事務所有限公司 11386 | 代理人： | 馬東偉 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 存儲器 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種阻變存儲器，其特征在于，包括依次設置的底電極、阻變層、插入層、Ti薄膜和頂電極；
所述插入層形成一個阻變層氧空位向Ti薄膜擴散的勢壘層；
所述插入層用于控制氧空位在阻變層中的產生和復合，降低對Ti薄膜厚度精確度的要求；
所述底電極為TaN或TiN；
所述阻變層為HfO2或HfO2基摻雜材料，阻變層厚度為3-10nm；
所述Ti薄膜的厚度為3-15nm；
所述頂電極為TaN或TiN；
所述插入層為TaN或TiN，厚度為0.5-2nm。
2.根據權利要求1所述的阻變存儲器，其特征在于，所述底電極的厚度為10-100nm。
3.根據權利要求1或2所述的阻變存儲器，其特征在于，所述頂電極的厚度為10-100nm。
4.一種阻變存儲器的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
制備底電極；
在所述底電極上沉積阻變層；所述阻變層為HfO2或HfO2基摻雜材料，阻變層厚度為3-10nm；
在所述阻變層上沉積插入層；所述插入層為TaN或TiN，厚度為0.5-2nm；
在所述插入層上沉積Ti薄膜；所述Ti薄膜的厚度為3-15nm；
在所述Ti薄膜上制備頂電極；
所述底電極和頂電極材料為TaN或TiN。
5.根據權利要求4所述的阻變存儲器的制備方法，其特征在于，所述底電極和頂電極的厚度為10-100nm。
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