[發明專利]一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗

在審

• 申請號: 202110266066.5
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN112885689A
• 公開（公告）日: 2021-06-01
• 發明（設計）人: 華衛群;尤春;薛文卿;顧夢星;張月圓;劉維維;季書鳳
• 申請（專利權）人: 無錫中微掩模電子有限公司
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/32
• 代理公司: 連云港聯創專利代理事務所(特殊普通合伙) 32330
• 代理人: 劉剛

本發明涉及掩模制版技術領域，且公開了一種新型FEI離子束修補機電子中和漏斗，包括電子中和漏斗本體，所述電子中和漏斗本體的一側安裝有支撐連桿，所述支撐連桿的頂部安裝有工藝氣體管道，所述工藝氣體管道的端部安裝有工藝氣體噴嘴，所述電子中和漏斗本體的中間位置處開設有中心孔，所述電子中和漏斗本體的內部設置有內側面和最低面。該一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗，通過設置電子中和漏斗本體、內側面和最低面，使得本發明具有防干擾功能和高效吸附性能，進而在設備修補過程中，具有對離子、電子更好的吸附性能，同時可根據二次離子束和二次電子流成像原理，避免了發散離子和電子的干擾，使得修補精度更高，成像更清晰。

技術領域

本發明涉及掩模制版技術領域，具體為一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗。

背景技術

掩模是一種統稱，又名光掩模或是光罩(Mask，PhotoMask),掩模是在一個石英基材上以鉻膜所構成之集成電路(IC)設計圖案，其目的為了將設計出的集成電路圖案利用掩模投影微縮轉移至晶圓上。在掩模生產制造過程中，缺陷修補是一道重要工序，尤其是當集成電路工藝發展到7納米技術節點時，隨著圖形特征尺寸越來越小，圖形復雜多樣，對缺陷要求越來越嚴格，若掩模版上存在缺陷，經光刻等工藝流程處理，缺陷就被復刻到圓片上，最終造成集成電路開、短路異常，使芯片良率降低。掩模制作是整個芯片流程中制造最昂貴的一部分，例如一塊可供使用的相移掩模價格高至幾十萬美元。如果不修補，報廢處理，不但增加生產成本，而且影響產品交期。

目前，離子束修補機在實際工作的過程中，會受到電子或離子的干擾，進而導致在掩模制作時，掩模版上出現輕微的缺陷，經光刻等工藝流程處理，缺陷就被復刻到圓片上，最終造成集成電路開、短路異常，使芯片良率降低，因此需要對其進行改進。

發明內容

針對現有技術的不足，本發明提供了一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗，具有防干擾功能和高效吸附性能的優點，解決了現有的離子束修補機在實際使用的過程中，對離子、電子吸附性能差，同時，容易受到電子和離子的干擾，進而導致在掩模修補時，影響修補精度導致掩模版產品報廢。

一種新型FEI離子束修補機電子中和漏斗，包括電子中和漏斗本體，所述電子中和漏斗本體的一側安裝有支撐連桿，所述支撐連桿的頂部安裝有工藝氣體管道，所述工藝氣體管道的端部安裝有工藝氣體噴嘴，所述電子中和漏斗本體的中間位置處開設有中心孔，所述電子中和漏斗本體的內部設置有內側面和最低面。

優選的，所述電子中和漏斗本體的材質設置為石墨材質。

優選的，所述電子中和漏斗本體的中心孔位置高于電子中和漏斗本體內部內側面的最低面。

優選的，所述電子中和漏斗本體的內側面設置為鋸齒狀。

優選的，所述工藝氣體噴嘴設置在電子中和漏斗本體的中心孔位置。

優選的，所述中心孔設置在電子中和漏斗本體內部的最低面位置處。

與現有技術對比，本發明具備以下有益效果：

1、該一種新型FEI850離子束修補機電子中和漏斗，通過設置電子中和漏斗本體，使得離子束和電子流通過電子中和漏斗本體的中心孔抵達掩模版上，在產品修補過程中便于提供一個相對較大的接地平面，并且電子中和漏斗本體是一種垂直運動機構，可以將電子中和漏斗延伸(降下)到靠近掩模版的位置，以最大限度地提高其在使用過程中的電荷中和效果，同時，電子中和漏斗本體稍微收縮(升高)可以提供垂直間隙便于掩模版承載平臺在x-y平面移動。