[發明專利]具有氮化硅緩沖層的顯示設備及其制造方法

在審

• 申請號: 202110263145.0
• 申請日: 2021-03-11
• 公開（公告）號: CN113394256A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 鄭镕彬;禹榮杰;郭銀珍
• 申請（專利權）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 田野;韓芳

公開了一種顯示設備和一種制造該顯示設備的方法。該顯示設備包括基底。第一緩沖層設置在基底之上。第一緩沖層包含氮化硅并且具有大于約0.36且等于或小于約1.01的鍵合到硅的氫的原子百分比。薄膜晶體管設置在第一緩沖層之上。薄膜晶體管包括有源層。顯示元件電連接到薄膜晶體管。

本申請要求于2020年3月13日在韓國知識產權局提交的第10-2020-0031314號韓國專利申請的優先權和權益，該韓國專利申請的公開內容通過引用全部包含于此。

技術領域

本公開涉及一種顯示設備，更具體地，涉及一種具有氮化硅緩沖層的顯示設備以及一種制造該顯示設備的方法。

背景技術

通常，顯示設備包括用于顯示圖像的顯示元件。顯示設備有各種類型，并且可以用在各種電子裝置(諸如智能電話、數碼相機、膝上型計算機、導航裝置或智能電視)中。

顯示設備通常通過使用與設置在其中的顯示元件中的每個電連接的薄膜晶體管來控制每個顯示元件的操作。

發明內容

根據一個或更多個實施例，顯示設備包括：基底；第一緩沖層，設置在基底之上，第一緩沖層包含氮化硅并且具有大于約0.36且等于或小于約1.01的鍵合到硅的氫的原子百分比；薄膜晶體管，設置在第一緩沖層之上，薄膜晶體管包括有源層；以及顯示元件，電連接到薄膜晶體管。

顯示設備還可以包括設置在第一緩沖層與薄膜晶體管之間的第二緩沖層。

第二緩沖層可以包含氧化硅。

薄膜晶體管可以包括柵電極和有源層，并且有源層距第一緩沖層可以比柵電極距第一緩沖層近。

柵電極可以包含鋁。

柵電極可以包括包含鋁的第一層和設置在第一層上的第二層。第二層可以包含具有比鋁的蝕刻比小的蝕刻比的材料。

柵電極可以包括包含鋁的第一層和設置在第一層上的第二層。第二層可以包含鈦。

柵電極可以包括包含鋁的第一層和設置在第一層上的第二層。第二層可以包含氮化鈦。

柵電極還可以包括設置在第二層上的第三層，第三層可以包含鈦。

根據一個或更多個實施例，一種制造顯示設備的方法包括：在基底上形成第一緩沖層，第一緩沖層包含氮化硅并且具有大于約0.36且等于或小于約1.01的鍵合到硅的氫的原子百分比；在第一緩沖層之上形成薄膜晶體管，薄膜晶體管包括有源層；以及形成電連接到薄膜晶體管的顯示元件。

該方法還可以包括在第一緩沖層上形成第二緩沖層。形成薄膜晶體管的步驟可以包括在第二緩沖層上形成薄膜晶體管。薄膜晶體管可以包括有源層。

形成第二緩沖層的步驟可以包括形成氧化硅層。

形成薄膜晶體管的步驟可以包括形成有源層和在有源層之上形成柵電極。

形成柵電極的步驟可以包括使用包含鋁的材料。

形成柵電極的步驟可以包括：通過使用包含鋁的材料形成第一臨時層；通過使用具有比鋁的蝕刻比小的蝕刻比的材料在第一臨時層上形成第二臨時層；以及同時對第一臨時層和第二臨時層進行圖案化以形成柵電極。

形成柵電極的步驟可以包括：通過使用包含鋁的材料形成第一臨時層；通過使用包含鈦的材料在第一臨時層上形成第二臨時層；以及同時對第一臨時層和第二臨時層進行圖案化以形成柵電極。

形成柵電極的步驟可以包括：通過使用包含鋁的材料形成第一臨時層；通過使用包含氮化鈦的材料在第一臨時層上形成第二臨時層；以及同時對第一臨時層和第二臨時層進行圖案化以形成柵電極。