[發明專利]光刻曝光方法、裝置和存儲介質

在審

• 申請號: 202110262837.3
• 申請日: 2021-03-10
• 公開（公告）號: CN113093478A
• 公開（公告）日: 2021-07-09
• 發明（設計）人: 李玉華;黃發彬;吳長明;姚振海;金樂群
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 黎偉

本申請公開了一種光刻曝光方法、裝置和存儲介質，該方法包括：一種光刻曝光方法，其特征在于，包括：獲取投影掩模板的透射率和溫度分布；根據透射率和溫度分布對投影掩模板進行加熱使投影掩模板的溫度分布的均勻性達到目標值；預測投影掩模板的形變；根據形變對光刻曝光的套刻誤差進行補償，得到補償后的曝光參數；根據補償后的曝光參數，對晶圓的第i曝光區域進行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N為自然數，N為晶圓上的曝光區域的個數；令i＝i+1，重復上述步驟，直至i＝N。本申請通過獲取投影掩模板的透射率和溫度分布對其進行加熱，使投影掩模板的溫度分布較為均勻，從而在一定程度上降低了投影掩模板的形變，降低了套刻誤差。

技術領域

本申請涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種光刻曝光方法、裝置和存儲介質。

背景技術

在光刻工藝的曝光過程中，投影掩模板(reticle)不可避免會吸收一些入射光，吸收的光會轉化為熱量導致投影掩模板發生形變，從而導致套刻誤差(overlay)。

相關技術中提供了一種光刻矯正方法，其通過光刻設備上的傳感器(例如，傳輸圖像傳感器(transmission image sensor，TIS)或掃描光刻設備上的平行集成干涉儀(parallel integrated lens interferometry at scanner，PARIS)傳感器)測量晶圓上的對版標記的空間分布，根據對版標記的空間分布預測投影掩模板的形變程度，從而根據預測得到的形變程度對套刻誤差進行補償。

然而，僅僅通過測量對版標記的空間分布對投影掩模板的形變造成的套刻誤差進行矯正的準確度和精確度較差。

發明內容

本申請提供了一種光刻曝光方法、裝置和存儲介質，可以解決相關技術中提供的光刻矯正方法對套刻誤差進行矯正的準確度和精確度較差的問題。

一方面，本申請實施例提供了一種光刻曝光方法，其特征在于，包括：

獲取投影掩模板的透射率和溫度分布；

根據所述透射率和所述溫度分布對所述投影掩模板進行加熱使所述投影掩模板的溫度分布的均勻性達到目標值；

預測所述投影掩模板的形變；

根據所述形變對所述光刻曝光的套刻誤差進行補償，得到補償后的曝光參數；

根據所述補償后的曝光參數，通過所述投影掩模板對晶圓的第i曝光區域進行曝光，1≤i≤N，N≥2，i、N為自然數，N為所述晶圓上的曝光區域的個數；

令i＝i+1，重復上述步驟，直至i＝N。

可選的，所述透射率是根據設置于所述投影掩模板上方的紅外傳感器測量得到的。

可選的，所述溫度分布是根據設置于所述投影掩模板上方的溫度傳感器測量得到的。

可選的，所述投影掩模板上方設置有至少兩個所述溫度傳感器。

可選的，所述預測所述投影掩模板的形變，包括：

通過對所述晶圓上的對版標記進行測量預測所述投影掩模板的形變。

可選的，所述通過對所述晶圓上的對版標記進行測量預測所述投影掩模板的形變，包括：

通過所述光刻設備上的圖像傳感器測量所述對版標記在晶圓工作臺上的投影圖形，所述晶圓工作臺是放置所述晶圓的工作臺；

根據所述投影圖形的變化預測所述形變。

可選的，所述圖形傳感器包括TIS傳感器或PARIS傳感器。

可選的，所述根據所述形變對所述光刻曝光的套刻誤差進行補償，包括：