[發明專利]陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置在審
| 申請號： | 202110261553.2 | 申請日： | 2021-03-10 |
| 公開（公告）號： | CN112882299A | 公開（公告）日： | 2021-06-01 |
| 發明（設計）人： | 周逸琛;吳偉;陳炎;李凱;張昊;劉翔;代俊鋒;張伊伊;仝遠;陳麒;朱陶和;張蕩 | 申請（專利權）人： | 武漢京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1368 | 分類號： | G02F1/1368;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭棟梁 |
| 地址： | 430040 湖北省*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 及其 制造 方法 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板，其特征在于，包括：
薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括開口區和非開口區；
第一光導層，設置于所述薄膜晶體管層的入光側，所述第一光導層包括鏤空區和導光圖案，所述鏤空區與所述開口區對應設置，所述導光圖案與所述非開口區對應設置，所述導光圖案用于將射入所述導光圖案的至少部分背光光線導入所述開口區。
2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述導光圖案為納米晶粒導光圖案，所述納米晶粒導光圖案內布設有多個納米晶粒。
3.根據權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述納米晶粒為納米球晶、納米橢球晶和納米多面體晶中的至少任一種。
4.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述納米晶粒的粒徑為1nm～200nm。
5.根據權利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于，所述納米晶粒的材料為納米硅、納米氮化硅、納米氮氧化硅和納米氧化硅中的任一種。
6.根據權利要求1-3任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管層與所述第一光導層之間設置有第二光導層，所述第二光導層為平坦化透光層。
7.根據權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第二光導層的材料為氮化硅、氮氧化硅和氧化硅中的至少任一種。
8.一種如權利要求1-7任一項所述的陣列基板的制備方法，其特征在于，包括：
提供襯底；
在所述襯底上形成第一光導層，所述第一光導層包括鏤空區和導光圖案；
在所述第一光導層上形成薄膜晶體管層，所述薄膜晶體管層包括開口區和非開口區，所述鏤空區與所述開口區對應設置，所述導光圖案與所述非開口區對應設置，所述導光圖案用于將射入所述導光圖案的至少部分背光光線導入所述開口區。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括權利要求1-7任一項所述的陣列基板。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括權利要求9所述的顯示面板。
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