[發明專利]主輔合金系釹鐵硼磁體材料及其制備方法在審
| 申請號: | 202110261268.0 | 申請日: | 2021-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN115083707A | 公開(公告)日: | 2022-09-20 |
| 發明(設計)人: | 韋興;黃佳瑩;湯志輝;黃清芳;蔣志鵬;許德欽;陳大崑;付剛 | 申請(專利權)人: | 福建省長汀金龍稀土有限公司 |
| 主分類號: | H01F1/057 | 分類號: | H01F1/057;H01F41/02 |
| 代理公司: | 上海弼興律師事務所 31283 | 代理人: | 王衛彬;鄒玲 |
| 地址: | 366300 福建*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 合金 系釹鐵硼 磁體 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種主輔合金系釹鐵硼磁體材料的原料組合物,其包括主合金原料和輔合金原料;其中,所述主合金原料包括以下組分:輕稀土元素LR,10.0~33.0mas%;LR選自Y、La、Ce、Pr、Nd的一種或多種;重稀土元素HR,0~20.0mas%;HR選自Gd、Dy、Tb和Ho中的一種或多種;M,0.1~5.0mas%;M選自Co、Cu、Al和Ga中的一種或多種;X,0.05~0.7mas%;X選自Zr、Ti和Nb中的一種或多種;B,0.94~1.1mas%;余量為Fe;其中,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
所述輔合金原料包括以下組分:輕稀土元素LR,0~30.0mas%;LR為Nd和/或Pr;重稀土元素HR,1~80mas%;HR為Dy和/或Tb;M,5.0~20.0mas%;M選自Co、Cu、Al和Ga中的一種或多種;X,3.0~12.0mas%;X選自Ti、Zr、Hf、Nb、W和Ta中的一種或多種;B,0~0.6mas%;余量為Fe;其中,mas%是指組分在所述輔合金原料中的質量百分比;
所述輔合金原料在所述主輔合金系釹鐵硼磁體材料的原料組合物中的質量百分比為1.0~15.0mas%。
2.如權利要求1所述的主輔合金系釹鐵硼磁體材料的原料組合物,其特征在于,所述主合金原料中總稀土含量TRE為26.0~40.0mas%,較佳地為29.0~32.0mas%,例如29.5mas%、30.5mas%或31.5mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述LR的含量為25.0~30.0mas%,例如25.2mas%、29.5mas%或30mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,當所述LR包含Nd時,所述Nd的含量為18.9~22.5mas%,例如22.125mas%;當所述LR包含Pr時,所述Pr的含量為6.0~7.5mas%,例如6.3mas%或7.375mas%;其中,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述LR包含Nd和Pr;更佳地,所述Nd的含量為22.125mas%,所述Pr的含量為7.375mas%;或者,所述Nd的含量為22.5mas%,所述Pr的含量為7.5mas%;或者,所述Nd的含量為18.9mas%,所述Pr的含量為6.3mas%;其中,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述HR的含量為1.0~10.0mas%,例如1.5mas%或5.3mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,當所述HR包含Dy時,所述Dy的含量為1.0~5.0mas%,例如1.5mas%或4.3mas%;較佳地,所述主合金原料中,所述HR為Dy;所述Dy的含量較佳地為1.5mas%;當所述HR包含Ho時,所述Ho的含量為0.5~2.0mas%,例如1.0mas%;其中,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述HR包含Dy和Ho;其中,所述Dy的含量較佳地為4.3mas%,所述Ho的含量較佳地為1.0mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述M的含量為0.5~2.0mas%,例如0.88mas%、1.5mas%或1.65mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,當所述M包含Ga時,所述Ga的含量為0.2~0.4mas%,例如0.25mas%;當所述M包含Al時,所述Al的含量為0.01~0.1mas%,例如0.03mas%;當所述M包含Cu時,所述Cu的含量為0.1~0.25mas%,例如0.15mas%;當所述M包含Co時,所述Co的含量為0.5~1.0mas%;其中,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述M包含Ga、Al、Cu和Co;其中,所述Ga的含量較佳地為0.25mas%,所述Al的含量較佳地為0.03mas%,所述Cu的含量較佳地為0.1mas%,所述Co的含量較佳地為0.5mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述X的含量為0.1~0.35mas%,例如0.11mas%或0.15mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比;
和/或,所述主合金原料中,所述X為Zr或Ti;
和/或,所述主合金原料中,所述B的含量為0.97~0.99mas%,例如0.98mas%,mas%是指組分在所述主合金原料中的質量百分比。
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