[發明專利]顯示基板和顯示裝置在審
| 申請號: | 202110259196.6 | 申請日: | 2021-03-10 |
| 公開(公告)號: | CN113035927A | 公開(公告)日: | 2021-06-25 |
| 發明(設計)人: | 向煉;馮佑雄 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3208;G09G3/3266 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 李迎亞;姜春咸 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 顯示裝置 | ||
本公開提供一種顯示基板和顯示裝置,屬于顯示技術領域,其可解決現有的顯示基板中ELVSS電源走線在拐角處具有較大電流密度的問題。本公開的顯示基板包括:包括:襯底基板,襯底基板包括顯示區和圍繞顯示區的非顯示區,非顯示區包括綁定區、第一走線區、第二走線區和第三走線區,其中,綁定區與第一走線區相對,第二走線區和第三走線區相對;發光器件,位于顯示區,且形成在襯底基板上;第一電源線,位于非顯示區,被配置為發光器件的陰極提供第一電源電壓;第一電源線包括電源線段,且第二走線區和第三走線區中的至少一者內設置有電源線段;其中,電源線段的線寬沿第一走線區指向綁定區的方向單調增。
技術領域
本公開屬于顯示技術領域,具體涉及一種顯示基板和顯示裝置。
背景技術
傳統顯示裝置中,ELVDD電源走線呈網格狀排布,ELVSS電源走線通過外圍金屬導線搭接至OLED器件的陰極,可等效為網狀。驅動薄膜場效應晶體管(thin filmtransistor,TFT)的驅動電流驅動OLED發光,該驅動電流從電源正極電壓VVDD流向電源負極電壓VVSS。由于ELVSS電源走線在拐角處具有較大的電流密度,因此會導致此部位發熱嚴重,從而會灼燒ELVSS電源走線上下的有機膜層,進而導致產品不良。
發明內容
本公開旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一,提供一種顯示基板和顯示裝置。
第一方面,本公開實施例提供一種顯示基板,包括:
襯底基板,所述襯底基板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區,所述非顯示區包括綁定區、第一走線區、第二走線區和第三走線區,其中,所述綁定區與所述第一走線區相對,所述第二走線區和所述第三走線區相對;
發光器件,位于所述顯示區,且形成在所述襯底基板上;
第一電源線,位于所述非顯示區,被配置為所述發光器件的陰極提供第一電源電壓;所述第一電源線包括電源線段,且所述第二走線區和所述第三走線區中的至少一者內設置有所述電源線段;其中,
所述電源線段的線寬沿所述第一走線區指向所述綁定區的方向單調增。
可選地,顯示基板還包括:
沿所述第一走線區指向所述綁定區的方向上并排設置的多個像素單元組,每個像素單元組包括沿所述第一走線區指向所述綁定區的方向上并排設置的多行像素單元;
多個控制電路,每個控制電路為每個像素單元組中的多行所述像素單元提供控制信號,且所述控制電路并排設置形成與所述像素單元組對應設置的多個控制電路組,且在沿所述第一走線區指向所述綁定區的方向上所述控制電路組中的控制電路的數量單調減。
可選地,所述至少部分相鄰設置的控制電路組中的控制電路的數量相同。
可選地,多個所述控制電路組劃分為多個控制電路單元,且同一所述控制電路單元中的各所述控制電路組中控制電路的個數相同;其中,位于不同的所述控制電路電路單元中的所述控制電路組的數量相同。
可選地,多個所述控制電路組劃分為多個控制電路單元,且同一所述控制電路單元中的各所述控制電路組中控制電路的個數相同;其中,位于不同的所述控制電路電路單元的所述控制電路組中的所述控制電路的數量不同。
可選地,所述控制電路包括柵極驅動電路、復位控制電路、發光控制電路中的至少一種或多種。
可選地,所述第二走線區和所述第三走線區中均設置有所述電源線段,所述電源線段均與所述發光器件的陰極電連接。
可選地,所述第一走線區也設置有電源線段,所述第一走線區的電源線段與所述第二走線區和所述第三走線區中的所述電源線段電連接。
可選地,所述發光器件包括OLED、mini-OLED或者Micro-OLED中的至少一種。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





